[發明專利]一種自激式降壓電路及燈具

無效

• 申請號: 201210580486.1
• 申請日: 2012-12-28
• 公開（公告）號: CN103904887A
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發明（設計）人: 周明杰;管偉芳
• 申請（專利權）人: 深圳市海洋王照明工程有限公司;海洋王照明科技股份有限公司
• 主分類號: H02M3/155
• 分類號: H02M3/155
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所 44237
• 代理人: 張全文

1.一種自激式降壓電路，其特征在于，所述自激式降壓電路包括：

電阻R1、電阻R2、分壓電阻R3、分壓電阻R4、儲能電容C1、濾波電容C2、電感L1、二極管D1、第一開關管、第二開關管和第三開關管；

所述第一開關管的高電位端為輸入端，所述第一開關管的低電位端接電感L1的第一端，所述電感L1的第二端為輸出端，所述第一開關管的高電位端通過所述電阻R1接第三開關管的高電位端，所述第三開關管的低電位端接地，所述儲能電容C1連接在所述第三開關管的高電位端和低電位端之間，所述第二開關管的高電位端通過所述電阻R2接第一開關管的控制端，所述第二開關管的低電位端接地，所述第二開關管的控制端接第三開關管的高電位端，所述二極管D1的陰極接第一開關管的低電位端，所述二極管D1的陽極接地，所述分壓電阻R3和分壓電阻R4串接在所述電感L1的第二端與地之間，所述分壓電阻R3和分壓電阻R4的公共連接端接第三開關管的控制端，所述濾波電容C2連接在電感L1的第二端和地之間。

2.如權利要求1所述的自激式降壓電路，其特征在于，所述第一開關管采用PNP型三極管Q1，所述PNP型三極管Q1的基極為第一開關管的控制端，所述PNP型三極管Q1的發射極為第一開關管的高電位端，所述PNP型三極管Q1的集電極為第一開關管的低電位端。

3.如權利要求1所述的自激式降壓電路，其特征在于，所述第一開關管采用P型MOS管Q4，所述P型MOS管Q4的柵極為第一開關管的控制端，所述P型MOS管Q4的源極為第一開關管的高電位端，所述P型MOS管Q4的漏極為第一開關管的低電位端。

4.如權利要求1所述的自激式降壓電路，其特征在于，所述第二開關管采用NPN型三極管Q2，所述NPN型三極管Q2的基極為第二開關管的控制端，所述NPN型三極管Q2的集電極為第二開關管的高電位端，所述NPN型三極管Q2的發射極為第二開關管的低電位端。

5.如權利要求1所述的自激式降壓電路，其特征在于，所述第二開關管采用N型MOS管Q5，所述N型MOS管Q5的柵極為第二開關管的控制端，所述N型MOS管Q5的漏極為第二開關管的高電位端，所述N型MOS管Q5的源極為第二開關管的低電位端。

6.如權利要求1所述的自激式降壓電路，其特征在于，所述第三開關管采用NPN型三極管Q3，所述NPN型三極管Q3的基極為第三開關管的控制端，所述NPN型三極管Q3的集電極為第三開關管的高電位端，所述NPN型三極管Q3的發射極為第三開關管的低電位端。

7.如權利要求1所述的自激式降壓電路，其特征在于，所述第三開關管采用N型MOS管Q6，所述N型MOS管Q6的柵極為第三開關管的控制端，所述N型MOS管Q6的漏極為第三開關管的高電位端，所述N型MOS管Q6的源極為第三開關管的低電位端。

8.一種燈具，其特征在于，所述燈具包括如權利要求1-7任一項所述的自激式降壓電路。