[發明專利]一種基于MEMS工藝THz波段EMXT腔體濾波器無效
| 申請號： | 201210580434.4 | 申請日： | 2012-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN103107394A | 公開（公告）日： | 2013-05-15 |
| 發明（設計）人： | 劉埇;司黎明;周凱;鄭超;盧宏達;朱思衡 | 申請（專利權）人： | 北京理工大學 |
| 主分類號： | H01P1/208 | 分類號： | H01P1/208 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 100081 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 mems 工藝 thz 波段 emxt 濾波器 | ||
【權利要求書】：
1.基于MEMS工藝THz波段EMXT腔體濾波器，其特征在于：包括上層硅圓片、下層硅圓片和主體部分；上層硅圓片有定位槽和盲文標示；主體部分包括PBG結構和波導腔，PBG結構由硅柱組成，硅柱之間填充有空氣；PBG結構位于波導腔的腔體內；所述的硅柱的表面濺射有金層；
在PBG結構中引入了線缺陷和點缺陷，線缺陷形成PBG波導，位于波導腔的腔體內左右兩側，點缺陷形成中間三個諧振腔結構；
濾波器采用上層硅圓片和下層硅圓片進行加工。
2.根據權利要求1所述的基于MEMS工藝THz波段EMXT腔體濾波器，其特征在于：硅柱的表面濺射的金層厚度為200nm。
3.根據權利要求1所述的基于MEMS工藝THz波段EMXT腔體濾波器，其特征在于：PBG結構中晶格常數a=120μm，硅柱直徑d＝48μm，PBG波導端口的寬度w=483μm，PBG波導端口的高度為241μm；諧振腔結構的半徑為R=357μm，腔體的徑向間距a1＝120μm。
4.根據權利要求1所述的基于MEMS工藝THz波段EMXT腔體濾波器，其特征在于：上硅圓片和下硅圓片的基片厚度為400μm。
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