[發明專利]一種基于MEMS工藝THz波段EMXT腔體濾波器無效
| 申請號: | 201210580434.4 | 申請日: | 2012-12-27 |
| 公開(公告)號: | CN103107394A | 公開(公告)日: | 2013-05-15 |
| 發明(設計)人: | 劉埇;司黎明;周凱;鄭超;盧宏達;朱思衡 | 申請(專利權)人: | 北京理工大學 |
| 主分類號: | H01P1/208 | 分類號: | H01P1/208 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 100081 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 mems 工藝 thz 波段 emxt 濾波器 | ||
1.基于MEMS工藝THz波段EMXT腔體濾波器,其特征在于:包括上層硅圓片、下層硅圓片和主體部分;上層硅圓片有定位槽和盲文標示;主體部分包括PBG結構和波導腔,PBG結構由硅柱組成,硅柱之間填充有空氣;PBG結構位于波導腔的腔體內;所述的硅柱的表面濺射有金層;
在PBG結構中引入了線缺陷和點缺陷,線缺陷形成PBG波導,位于波導腔的腔體內左右兩側,點缺陷形成中間三個諧振腔結構;
濾波器采用上層硅圓片和下層硅圓片進行加工。
2.根據權利要求1所述的基于MEMS工藝THz波段EMXT腔體濾波器,其特征在于:硅柱的表面濺射的金層厚度為200nm。
3.根據權利要求1所述的基于MEMS工藝THz波段EMXT腔體濾波器,其特征在于:PBG結構中晶格常數a=120μm,硅柱直徑d=48μm,PBG波導端口的寬度w=483μm,PBG波導端口的高度為241μm;諧振腔結構的半徑為R=357μm,腔體的徑向間距a1=120μm。
4.根據權利要求1所述的基于MEMS工藝THz波段EMXT腔體濾波器,其特征在于:上硅圓片和下硅圓片的基片厚度為400μm。
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