[發(fā)明專利]一種熱釋電陶瓷材料及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210580297.4
• 申請(qǐng)日: 2012-12-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103011809A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郭少波;董顯林;王根水;姚春華;曹菲;楊冰冰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所
• 主分類號(hào): C04B35/493
• 分類號(hào): C04B35/493;C04B35/622
• 代理公司: 上海瀚橋?qū)＠硎聞?wù)所(普通合伙) 31261
• 代理人: 曹芳玲

1.一種熱釋電陶瓷材料，其特征在于，具有如下組成通式：

Pb[(Ni_1/3Sb_2/3)_x(Zr_1-yTi_y)_1-x]_1-φMn_φO₃，其中：0≤x≤0.10，0.10≤y≤0.25，0≤φ≤0.04，其中x和φ不同時(shí)為0。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱釋電陶瓷材料，其特征在于所述熱釋電陶瓷材料的介電損耗小于0.02。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的熱釋電陶瓷材料，其特征在于，所述熱釋電陶瓷材料的探測(cè)率優(yōu)值為(5.5～12.2)×10^-5Pa^-1/2。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的熱釋電陶瓷材料，其特征在于，所述熱釋電陶瓷材料在25℃和1kHz的測(cè)試頻率下極化后的介電常數(shù)為211～402。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的熱釋電陶瓷材料，其特征在于，所述熱釋電陶瓷材料的熱釋電系數(shù)為(3.2～5.4)×10^-8C/cm²·K。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的熱釋電陶瓷材料，其特征在于，所述熱釋電陶瓷材料的電阻率為(0.5～5.5)?×10¹¹Ωcm。

7.一種權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的熱釋電陶瓷材料的制備方法，其特征在于，按化學(xué)計(jì)量比配制Pb₃O₄、ZrO₂、TiO₂、NiO、Sb₂O₃及Mn的氧化物或碳酸鹽；經(jīng)一次球磨、合成、二次球磨、成型制得陶瓷坯體；將所述陶瓷坯體進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)制得陶瓷材料；將所述陶瓷材料加工成所需尺寸后被銀、燒銀；將燒銀后的陶瓷材料進(jìn)行極化處理即制得所述熱釋電陶瓷材料。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于所述合成是在800～900℃下保溫1～3小時(shí)。

9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的制備方法，其特征在于所述高溫?zé)Y(jié)是在1150～1250℃下保溫1～3小時(shí)。