[發(fā)明專利]像素結(jié)構(gòu)及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210580130.8
• 申請(qǐng)日: 2012-12-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103123911A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-05-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張瑋倫;黃國(guó)有;陳勃學(xué)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 友達(dá)光電股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/77
• 分類號(hào): H01L21/77;H01L27/02;H01L29/786
• 代理公司: 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;祁建國(guó)

1.一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基板，該基板上形成有至少一薄膜晶體管，該薄膜晶體管包含一柵極電極、一源極電極與一漏極電極；

于該基板上依序形成一第一保護(hù)層與一平坦層，該第一保護(hù)層覆蓋該薄膜晶體管，而該平坦層覆蓋該第一保護(hù)層，該平坦層具有一第一開(kāi)口，該第一開(kāi)口對(duì)應(yīng)于該漏極電極并暴露出該漏極電極上的部分該第一保護(hù)層；

于該平坦層上形成一圖案化第一導(dǎo)電層，該圖案化第一導(dǎo)電層覆蓋該第一開(kāi)口的側(cè)壁與部分該第一保護(hù)層，該圖案化第一導(dǎo)電層具有一第二開(kāi)口，暴露出該第一開(kāi)口內(nèi)的部分該第一保護(hù)層；

于該圖案化第一導(dǎo)電層上形成一第二保護(hù)層；

于該第二保護(hù)層上形成一光阻圖案層，該光阻圖案層暴露出該第一開(kāi)口內(nèi)的部分該第二保護(hù)層；

蝕刻該光阻圖案層所暴露出的該第二保護(hù)層，以形成一第三開(kāi)口，該第三開(kāi)口暴露出部分該圖案化第一導(dǎo)電層與部分該第一保護(hù)層；

蝕刻該圖案化第一導(dǎo)電層所暴露出的該第一保護(hù)層，以于該第一保護(hù)層中形成一第四開(kāi)口，該第四開(kāi)口暴露出部分該漏極電極；

移除該光阻圖案層；以及

于該第二保護(hù)層上以及該第二開(kāi)口、該第三開(kāi)口與該第四開(kāi)口內(nèi)形成一圖案化第二導(dǎo)電層，該圖案化第二導(dǎo)電層電性連接暴露的該圖案化第一導(dǎo)電層與該漏極電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成該薄膜晶體管的步驟還包括：

于該基板上形成該柵極電極與一覆蓋該柵極電極的絕緣層；

于該絕緣層上形成該源極電極與該漏極電極；以及

于該絕緣層上形成一圖案化半導(dǎo)體層與一圖案化保護(hù)層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于，該圖案化半導(dǎo)體層包含一圖案化氧化物半導(dǎo)體層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成該薄膜晶體管的步驟包括：

于該基板上形成該柵極電極與一覆蓋該柵極電極的絕緣層；

于該絕緣層上形成一圖案化半導(dǎo)體層；以及

于該絕緣層與該圖案化半導(dǎo)體層上形成該源極電極與該漏極電極。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制作方法，其特征在于，該圖案化半導(dǎo)體層包括一圖案化非晶硅半導(dǎo)體層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，該圖案化第二導(dǎo)電層包括一橋接電極與一共通電極，該橋接電極與該共通電極彼此電性隔離，該圖案化第一導(dǎo)電層包括一像素電極，且該像素電極與該漏極電極藉由該橋接電極電性連接。

7.一種像素結(jié)構(gòu)，設(shè)置于一基板上，其特征在于，該像素結(jié)構(gòu)包括：

至少一薄膜晶體管，設(shè)置于該基板上，該薄膜晶體管包含一柵極電極、一源極電極與一漏極電極；

一第一保護(hù)層，設(shè)置于該基板上并覆蓋該薄膜晶體管，該第一保護(hù)層具有一第四開(kāi)口，且該第四開(kāi)口暴露部分該漏極電極；

一平坦層，設(shè)置于該第一保護(hù)層上，該平坦層包含一第一開(kāi)口，該第一開(kāi)口對(duì)應(yīng)于該第四開(kāi)口，且該第一開(kāi)口暴露出部分該漏極電極與部分該第一保護(hù)層；

一像素電極，設(shè)置于該平坦層上，該像素電極包含一第二開(kāi)口，該第二開(kāi)口對(duì)應(yīng)于該第一開(kāi)口與該第四開(kāi)口并暴露出該漏極電極；

一第二保護(hù)層，設(shè)置于該像素電極上，該第二保護(hù)層具有一第三開(kāi)口，對(duì)應(yīng)于該第二開(kāi)口，且第四開(kāi)口與該第三開(kāi)口暴露出該漏極電極與位于該第一保護(hù)層上的部分該像素電極；以及

一橋接電極，設(shè)置于該第二保護(hù)層上以及該第一開(kāi)口、該第二開(kāi)口、該第三開(kāi)口與該第四開(kāi)口內(nèi)，且該橋接電極電性連接暴露的該漏極電極與位于該第一保護(hù)層上的部分該像素電極。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括一共通電極，設(shè)置于該第二保護(hù)層上。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該共通電極與該橋接電極由同一層圖案化透明導(dǎo)電層所構(gòu)成，且該共通電極與該橋接電極彼此電性隔離。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一開(kāi)口大于該第二開(kāi)口、該第三開(kāi)口與該第四開(kāi)口。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該薄膜晶體管還包括一圖案化半導(dǎo)體層，對(duì)應(yīng)于該柵極電極設(shè)置。