[發明專利]氣相色譜柱及其形成方法、以及氣相色譜儀

無效

• 申請號: 201210580103.0
• 申請日: 2012-12-27
• 公開（公告）號: CN103063788A
• 公開（公告）日: 2013-04-24
• 發明（設計）人: 王偉軍;李銘;儲佳
• 申請（專利權）人: 上海集成電路研發中心有限公司
• 主分類號: G01N30/60
• 分類號: G01N30/60
• 代理公司: 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;林彥之

1.一種氣相色譜柱的形成方法，其特征在于，包括：

在襯底的一表面形成若干條第一溝槽，并沿著所述若干條第一溝槽在所述襯底中形成若干條第二溝槽，若干條所述第一溝槽連通形成曲形結構，若干條所述第二溝槽連通形成曲形結構；

沿著所述第二溝槽對部分所述襯底進行刻蝕，形成一曲形結構微通道，然后形成貫穿襯底的通孔，采用形成所述一曲形結構微通道同樣的方式，在襯底另一表面形成另一曲形結構微通道，并利用所述通孔與所述一曲形結構微通道連通，形成整體的微通道結構。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在襯底的一表面形成若干條第一溝槽包括：

在襯底上形成一過渡層；

對所述過渡層進行光刻膠涂覆并進行圖形化處理，形成所述襯底表面上的若干條第一溝槽。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，在襯底上形成一過渡層時，通過濕氧形成一氧化層，以作為過渡層。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述氧化層的厚度為1～1.7um。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在襯底的一表面形成若干條第一溝槽時，使所述第一溝槽的寬度為80～200um，相鄰所述第一溝槽的間隔為200um，第一溝槽的長度為4～8cm。

6.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，沿著所述第一溝槽在所述襯底中形成若干條第二溝槽包括：

去除第一溝槽處的部分所述襯底以及部分所述過渡層，形成若干條第二溝槽。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，去除第一溝槽處的部分所述過渡層以及部分所述襯底，形成若干條第二溝槽包括：

采用干法刻蝕去除第一溝槽處的部分所述過渡層，形成若干條過渡溝槽；

沿著所述過渡溝槽去除部分所述襯底，形成若干條第二溝槽。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，沿著所述第二溝槽對部分所述襯底進行刻蝕時，采用各向同性刻蝕氣氛，沿著所述第二溝槽對部分所述襯底進行刻蝕，形成預定內徑的所述一曲形結構微通道。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在襯底的兩表面側之間形成所述通孔，以將兩表面側的所述一曲形結構微通道以及所述另一曲形結構微通道連通，從而形成整體氣相色譜柱。

10.一種氣相色譜柱，其特征在于，包括：位于襯底兩個表面的曲形結構微通道，所述曲形結構微通道是沿著若干條第二溝槽對部分所述襯底進行刻蝕形成的，若干條所述第二溝槽連通形成曲形結構，若干條所述第二溝槽是在襯底的一表面形成若干條第一溝槽并沿著所述若干條第一溝槽在所述襯底中形成的，若干條所述第一溝槽連通形成曲形結構微通道；兩個表面的曲形結構微通道通過貫穿襯底的通孔連通，形成整體的微通道結構。

11.一種氣相色譜儀，其特征在于，包括權利要求10所述的氣相色譜柱。