[發(fā)明專利]一種光刻版結(jié)構(gòu)及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210579774.5
• 申請日: 2012-12-27
• 公開（公告）號: CN103048875A
• 公開（公告）日: 2013-04-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 袁偉
• 申請（專利權(quán)）人: 上海集成電路研發(fā)中心有限公司
• 主分類號: G03F1/48
• 分類號: G03F1/48
• 代理公司: 上海天辰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;林彥之

1.一種光刻版結(jié)構(gòu)，包括一個基板，位于所述基板表面的光刻版圖形，位于所述光刻版圖形上方的蒙膜，所述蒙膜將所述光刻版圖形區(qū)域罩住，其特征在于：在所述光刻版圖形表面覆蓋有一層或多層透明保護(hù)層，所述透明保護(hù)層位于所述蒙膜的下方。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光刻版結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述透明保護(hù)層的材料可以是二氧化硅或其他具有高透光率的材料。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種光刻版結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述具有高透光率的材料的透光率大于95%。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光刻版結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述透明保護(hù)層具有保形性，所述透明保護(hù)層按照所述光刻版圖形的形狀包覆在所述光刻版圖形上。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種光刻版結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述透明保護(hù)層的厚度小于50埃米。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光刻版結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述透明保護(hù)層可以為頂部平坦的透明保護(hù)層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種光刻版結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述透明保護(hù)層的厚度是曝光光源波長的整數(shù)倍，也可以是不影響相移光刻版曝光相位的其他厚度。

8.一種光刻版結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括：

步驟S01：在基板表面制備光刻版圖形；

步驟S02：在所述光刻版圖形的表面形成一層或多層透明保護(hù)層；

步驟S03：在所述基板上安裝蒙膜。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種光刻版結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，步驟S02中，可以在所述光刻版圖形的表面直接進(jìn)行保形性鍍膜，按照所述光刻版圖形形成所述透明保護(hù)層，所述透明保護(hù)層的厚度小于50埃米。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種光刻版結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，步驟S02中，可以先形成透明材料層將所述光刻版圖形的表面覆蓋住，再對透明材料層進(jìn)行平坦化處理，形成所述透明保護(hù)層，所述透明保護(hù)層的厚度是曝光光源波長的整數(shù)倍。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的一種光刻版結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述透明保護(hù)層的厚度也可以是不影響相移光刻版曝光相位的其他厚度。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的一種光刻版結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述平坦化處理可以采用化學(xué)機(jī)械研磨方法。

13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種光刻版結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述透明保護(hù)層的材料可以是二氧化硅或其他具有高透光率的材料。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的一種光刻版結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述具有高透光率的材料的透光率大于95%。