[發(fā)明專利]一種陣列基板有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210579283.0 | 申請日： | 2012-12-26 |
| 公開（公告）號： | CN103268879A | 公開（公告）日： | 2013-08-28 |
| 發(fā)明（設計）人： | 周莉;周秀峰 | 申請（專利權）人： | 廈門天馬微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/12 | 分類號： | H01L27/12;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京同達信恒知識產(chǎn)權代理有限公司 11291 | 代理人： | 劉松 |
| 地址： | 361101 福建省廈門市火*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 陣列 | ||
1.一種陣列基板，包括基板、和位于所述基板上的像素陣列，所述像素陣列包括多條柵線、與所述多條柵線絕緣交叉的多條數(shù)據(jù)線，和位于所述柵線和所述數(shù)據(jù)線交叉處的像素單元，所述像素單元包括薄膜晶體管TFT和像素電極，其特征在于，
所述像素陣列外圍的P行像素單元為虛擬像素；
所述陣列基板還包括M個第一類測試端子和N個第二類測試端子，P、M、N均為大于等于1的整數(shù)；
所述虛擬像素中TFT的柵極與所述第一類測試端子電連接；所述虛擬像素中TFT的漏極/源極與所述第二類測試端子電連接。
2.根據(jù)權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，P=1，所述像素陣列外圍的一行像素單元為虛擬像素。
3.根據(jù)權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，M=1，所述虛擬像素中TFT的柵極均電連接至同一所述第一類測試端子。
4.根據(jù)權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，N=1，所述虛擬像素中TFT的漏極/源極均與所述同一個第二類測試端子電連接。
5.根據(jù)權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，N≥2，所述虛擬像素分為N組，每一第二類測試端子與一組虛擬像素中TFT的漏極/源極對應電連接。
6.根據(jù)權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，N=2，所述虛擬像素分為位于所述像素陣列奇數(shù)列的一組和位于所述像素陣列偶數(shù)列的一組，位于所述虛擬像素位于所述像素陣列的一組虛擬像素中TFT的奇數(shù)列的漏極/源極與所述第二類測試端子的其中一個電連接，位于所述像素陣列偶數(shù)列的一組虛擬像素中TFT漏極/源極與所述第二類測試端子中的另一個電連接。
7.根據(jù)權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，N=3，所述虛擬像素分為包括紅色像素電極的一組、包括綠色像素電極的一組、和包括藍色像素電極的一組，包括紅色像素電極的一組虛擬像素中TFT的漏極/源極與一個第二類測試端子電連接，包括綠色像素電極的一組虛擬像素中TFT的漏極/源極與另一個第二類測試端子電連接，包括藍色像素電極的一組虛擬像素中TFT的漏極/源極與又一個第二類測試端子電連接。
8.根據(jù)權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，M≥2，所述虛擬像素分為M組，每一所述第一類測試端子與一組虛擬像素中TFT的柵極對應電連接。
9.根據(jù)權利要求8所述的陣列基板，其特征在于，N=1，所述虛擬像素中TFT的漏極/源極均與同一個第二類測試端子電連接。
10.根據(jù)權利要求8所述的陣列基板，其特征在于，N≥2，每組虛擬像素中TFT的漏極/源極分別與一個第二類測試端子電連接。
11.根據(jù)權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，P=2，所述像素陣列外圍的兩行像素單元為虛擬像素。
12.根據(jù)權利要求11所述的陣列基板，其特征在于，M=1，所述虛擬像素中TFT的柵極均與同一個第一類測試端子電連接；或者M=2，每一行所述虛擬像素中TFT的柵極分別與一所述第一類測試端子對應電連接。
13.根據(jù)權利要求12所述的陣列基板，其特征在于，N=2，所述第一行虛擬像素中位于所述像素陣列奇數(shù)列的一組虛擬像素中TFT的漏極/源極與一個第二類測試端子電連接；所述第二行虛擬像素中位于所述像素陣列偶數(shù)列的一組虛擬像素中TFT的漏極/源極與另一個第二類測試端子電連接。
14.根據(jù)權利要求11所述的陣列基板，其特征在于，M=2，所述一行虛擬像素中位于所述像素陣列奇數(shù)列的一組虛擬像素中TFT柵極與一個第一類測試端子電連接；另一行虛擬像素中位于所述像素陣列偶數(shù)列的一組虛擬像素中TFT的柵極與另一個第一類測試端子電連接。
15.根據(jù)權利要求14所述的陣列基板，其特征在于，N=1，所述虛擬像素中TFT的漏極/源極均與同一個所述第二類測試端子電連接。
16.根據(jù)權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，P=3，所述像素陣列外圍的三行像素單元為虛擬像素。
17.根據(jù)權利要求16所述的陣列基板，其特征在于，M=1，所述虛擬像素中TFT的柵極均與同一個第一類測試端子電連接；或者M=3，每一行所述虛擬像素中TFT的柵極分別與一個第一類測試端子電連接。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
