[發明專利]工藝反應腔及工藝設備

在審

• 申請號: 201210579059.1
• 申請日: 2012-12-27
• 公開（公告）號: CN103898473A
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發明（設計）人: 董志清
• 申請（專利權）人: 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C23C16/46
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張天舒

1.一種工藝反應腔，包括：腔體、承載裝置、進氣裝置和感應線圈，所述感應線圈位于所述腔體的外部，所述感應線圈用于產生磁場，其特征在于，所述承載裝置設置于所述腔體的內部且與所述腔體同軸設置，所述承載裝置和所述腔體之間形成氣體通道，所述承載裝置的外周面上放置有襯底，所述襯底位于所述氣體通道中，所述進氣裝置用于向所述氣體通道內通入工藝氣體。

2.根據權利要求1所述的工藝反應腔，其特征在于，所述承載裝置的外周面上開設有若干個凹槽，每個凹槽中放置一個所述襯底。

3.根據權利要求2所述的工藝反應腔，其特征在于，所述腔體為透明石英筒狀結構，所述承載裝置為石墨筒狀結構。

4.根據權利要求3所述的工藝反應腔，其特征在于，所述凹槽呈斜坡狀，斜坡狀的凹槽整體向腔體的內側以預設角度傾斜。

5.根據權利要求2所述的工藝反應腔，其特征在于，所述承載裝置為具有錐度的多面體結構，所述多面體結構中每個面整體向腔體的內側傾斜。

6.根據權利要求5所述的工藝反應腔，其特征在于，所述多面體結構的面數根據所述襯底的尺寸、所述承載裝置的尺寸和所述腔體的高度設置。

7.根據權利要求1所述的工藝反應腔，其特征在于，所述工藝反應腔還包括：排氣裝置，所述進氣裝置位于所述氣體通道的一端，所述排氣裝置位于所述氣體通道的對應的另一端；

所述排氣裝置，用于將反應后的剩余氣體排出至所述腔體的外部。

8.根據權利要求7所述的工藝反應腔，其特征在于，所述工藝反應腔還包括：第一法蘭結構和第二法蘭結構，所述第一法蘭結構設置于所述腔體的上端，所述第二法蘭結構設置于所述腔體的下端；

所述進氣裝置設置于所述第一法蘭結構上，所述排氣裝置設置于所述第二法蘭結構上；或者，所述進氣裝置設置于所述第二法蘭結構上，所述排氣裝置設置于所述第一法蘭結構上。

9.根據權利要求1所述的工藝反應腔，其特征在于，所述承載裝置繞軸向以預定速度旋轉。

10.一種工藝設備，其特征在于，包括：權利要求1至9任一所述的工藝反應腔。