[發明專利]電激發光顯示面板有效
| 申請號: | 201210579016.3 | 申請日: | 2012-12-27 |
| 公開(公告)號: | CN103123925A | 公開(公告)日: | 2013-05-29 |
| 發明(設計)人: | 陳奎百;李家豪;廖烝賢 | 申請(專利權)人: | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁揮;祁建國 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 激發 顯示 面板 | ||
1.一種電激發光顯示面板,具有一像素單元,其中該像素單元包括一紅色次像素、一綠色次像素與一藍色次像素,分別位于一紅色次像素區、一綠色次像素區與一藍色次像素區,該紅色次像素區、該綠色次像素區與該藍色次像素區分別包括一穿透區,其特征在于,該電激發光顯示面板包括:
多個電激發光元件,分別位于該紅色次像素區、該綠色次像素區與該藍色次像素區內,分別用以提供一白光;以及
一彩色濾光圖案,包括:
一紅色濾光層,位于該紅色次像素區內,用以使該白光在穿透該紅色濾光層后轉換成一紅光,其中該紅色濾光層的一頻譜的一最高峰大體上介于720納米與780納米之間,且其相對強度大體上介于0.95與1之間;
一綠色濾光層,位于該綠色次像素區內,用以使該白光在穿透該綠色濾光層后轉換成一綠光,其中該綠色濾光層的一頻譜的一最高峰大體上為537±2納米,且其相對強度大體上介于0.88與0.9之間;以及
一藍色濾光層,位于該藍色次像素區內,用以使該白光在穿透該藍色濾光層后轉換成一藍光,其中該藍色濾光層的一頻譜的一最高峰大體上為453±2納米,且其相對強度大體上介于0.74與0.76之間。
2.根據權利要求1所述的電激發光顯示面板,其特征在于,該電激發光元件所提供的該白光的頻譜具有三個波峰。
3.根據權利要求2所述的電激發光顯示面板,其特征在于,該電激發光元件所提供的該白光具有一白點色坐標Wx與Wy,0.316<Wx<0.319,0.33<Wy<0.36。
4.根據權利要求1所述的電激發光顯示面板,其特征在于,該像素單元由該紅色次像素、該綠色次像素與該藍色次像素所組成。
5.根據權利要求4所述的電激發光顯示面板,其特征在于,位于該紅色次像素區的該穿透區的該紅色濾光層、位于該綠色次像素區的該穿透區的該綠色濾光層與位于該藍色次像素區的該穿透區的該藍色濾光層的面積比大體上為0.94~0.98:0.81~0.85:1.19~1.23。
6.根據權利要求4所述的電激發光顯示面板,其特征在于,位于該紅色次像素區的該穿透區的該紅色濾光層、位于該綠色次像素區的該穿透區的該綠色濾光層與位于該藍色次像素區的該穿透區的該藍色濾光層的面積比大體上為0.78~0.82:0.69~0.73:1.47~1.51。
7.根據權利要求1所述的電激發光顯示面板,其特征在于,另具有一白色次像素區,其中白色次像素區包括一穿透區,該像素單元由該紅色次像素、該綠色次像素、該藍色次像素與一白色次像素所組成,該白色次像素設置于該白色次像素區內,包含一電激發光元件用以提供一白光,且該彩色濾光圖案另具有一白色濾光層,用以使該白光在通過該白色濾光層后仍為白光。
8.根據權利要求7所述的電激發光顯示面板,其特征在于,該白色濾光層的一頻譜的一最低峰為430±2納米,且其相對強度大體上介于0.9與1之間。
9.根據權利要求7所述的電激發光顯示面板,其特征在于,位于該紅色次像素區的該穿透區的該紅色濾光層、位于該綠色次像素區的該穿透區的該綠色濾光層、位于該藍色次像素區的該穿透區的該藍色濾光層與位于該白色次像素區的該穿透區的該白色濾光層的面積比大體上為0.47~0.51:0.47~0.51:1.5~1.54:0.47~0.51。
10.根據權利要求7所述的電激發光顯示面板,其特征在于,位于該紅色次像素區的該穿透區的該紅色濾光層、位于該綠色次像素區的該穿透區的該綠色濾光層、位于該藍色次像素區的該穿透區的該藍色濾光層與位于該白色次像素區的該穿透區的該白色濾光層的面積比大體上為0.47~0.51:0.43~0.47:143~147:043~047。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





