[發明專利]硅基薄膜疊層太陽能電池及其制造方法

無效

• 申請號: 201210578542.8
• 申請日: 2012-12-28
• 公開（公告）號: CN103066153A
• 公開（公告）日: 2013-04-24
• 發明（設計）人: 胡安紅;曲銘浩;汝小寧;張津燕;徐希翔
• 申請（專利權）人: 福建鉑陽精工設備有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/078;H01L31/0352
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種硅基薄膜疊層太陽能電池的制造方法，包括：

在透明基板上沉積透明導電氧化物薄膜；

在所述透明導電氧化物薄膜表面依次沉積第一電池的正極p1層、發電層i1和負極n1層；

在所述第一電池的表面沉積第二電池的正極p2層、發電層i2和負極n2層，形成雙疊層電池；和/或

在所述第二電池表面進一步沉積第三電池的正極p3層、發電層i3和負極n3層，形成三疊層電池；其中，

在沉積n1/p2，和/或

n2/p3時，在結晶化的硅基n1和/或n2層中，

引入導電的納米硅氧薄膜，形成多層復合薄膜的隧穿結，同時對n1、p2和/或n2、p3的摻雜、晶化率和厚度進行調整和優化；

在電池表面沉積導電薄膜背電極；

進行層壓封裝和后續處理。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：隧穿結中的n1或n2是晶化微晶硅和微晶硅氧的多層復合結構。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：隧穿結中的n1或n2、p2或p3具有高晶化率、高摻雜以及非常薄的厚度。

4.根據權利要求2所述的方法，其特征在于：多層復合結構為SiOx/Si，或SiOx/Si/SiOx，或Si/SiOx/Si，或SiOx/Si/SiOx/Si，或SiOx/Si/SiOx/Si/SiOx結構。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于：多層復合結構中SiOx為摻雜的結晶化的導電層，晶化率在20-70％，厚度在2-150nm。

6.根據權利要求3所述的方法，其特征在于：隧穿結中的n1或n2的晶化率在50％-80％，摻雜濃度在1％-5％，厚度在2-10nm；

p2或p3的晶化率在40％-70％，摻雜濃度在1％-5％，厚度在10-20nm。

7.一種硅基薄膜疊層太陽能電池，包括：

透明基板和位于其表面的透明導電氧化物薄膜；以及

在所述透明導電氧化物薄膜表面依次沉積的第一電池的正極p1層、發電層i1和負極n1層；第二電池的正極p2層、發電層i?2和負極n2層，形成雙疊層電池；和/或

第三電池的正極p3層、發電層i3和負極n3層，

導電薄膜背電極；

其中，

隧穿結中的n1或n2是晶化微晶硅和微晶硅氧的多層復合結構。

8.根據權利要求7所述的太陽能電池，其特征在于：隧穿結中的n1或n2、p2或p3具有高晶化率、高摻雜以及非常薄的厚度。

9.根據權利要求7所述的太陽能電池，其特征在于：多層復合結構為SiOx/Si，或SiOx/Si/SiOx，或Si/SiOx/Si，或SiOx/Si/SiOx/Si，或SiOx/Si/SiOx/Si/SiOx結構。

10.根據權利要求9所述的太陽能電池，其特征在于：多層復合結構中SiOx為摻雜的結晶化的導電層，晶化率在20-70％，厚度在2-150nm。

11.根據權利要求8所述的太陽能電池，其特征在于：隧穿結中的n1或n2的晶化率在50％-80％，摻雜濃度在1％-5％，厚度在2-10nm；

p2或p3的晶化率在40％-70％，摻雜濃度在1％-5％，厚度在10-20nm。