[發明專利]半導體二極管封裝結構及其制造方法

無效

• 申請號: 201210577881.4
• 申請日: 2012-12-27
• 公開（公告）號: CN103904192A
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發明（設計）人: 賴志成
• 申請（專利權）人: 鴻富錦精密工業（深圳）有限公司;鴻海精密工業股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/62;B23K3/00;B23K3/08
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種半導體二極管，尤其涉及一種半導體二極管封裝結構及其制造方法。

背景技術

傳統的半導體二極管封裝結構，通常將二極管芯片封裝后粘著于一金屬基板上。同時，為了能夠將封裝后的二極管芯片固定于該基板上，二極管芯片與基板之間通常會經由銀膠等粘結材料粘接。因此，在該半導體二極管封裝結構中，二極管芯片與基板間的界面層較多，導致二極管芯片產生的熱量不能快速、及時地散發掉，進而影響其生命周期及半導體效率?，F有的半導體二極管封裝結構通過將二極管芯片焊接于基板上，從而有效地減小了二極管芯片與基板之間的界面層，使二極管芯片產生的熱量能夠直接經由具有導熱效率較高的金屬共晶層及基板傳導出去。

然而，在焊接過程進行前需預先對基板通電使得二極管芯片工作而進行定位，定位完成后再進行焊接，由于此時二極管芯片已經具備了一定溫升，烘烤裝置一直加熱到固定溫度后再進行焊接過程的話，可能會過熱而導致半導體二極管封裝結構的損壞。

發明內容

有鑒于此，有必要提供一種較佳的半導體二極管封裝結構及其制造方法，該半導體二極管封裝結構的制造方法中可以及時控制焊接過程進行。

一種半導體二極管封裝結構的制造方法，包括以下步驟：步驟一，提供焊接設備，該焊接設備包括烘烤裝置、吸嘴及配套控制系統；步驟二，提供基板承載于焊接設備的烘烤裝置上；步驟三，提供二極管芯片，利用吸嘴吸取并攜帶二極管芯片貼合至與基板的頂面上，二極管芯片與基板之間設置有焊料，得到所述半導體二極管封裝結構的半成品；步驟四，按照半導體二極管封裝結構的額定功率對基板供電使二極管芯片工作，根據二極管芯片工作狀況對應調整二極管芯片在基板上的定位，并向焊接設備的控制系統輸入半導體二極管封裝結構的額定功率；步驟五，在二極管芯片在基板上的定位完成后，所述控制系統根據額定功率計算半成品的溫升而控制所述烘烤裝置對二極管芯片與基板之間進行焊接過程，完成焊接過程后得到所述半導體二極管封裝結構。

與現有技術相比，本發明的半導體二極管封裝結構的制造方法中利用所述焊接設備的控制系統根據半導體二極管封裝結構的額定功率計算半成品的溫升而控制烘烤裝置對半成品進行烘烤使得二極管芯片與基板之間進行焊接過程，避免焊接過程中對烘烤溫度反應不及時而造成半導體二極管封裝結構的損壞，方法易操作，生產效率較高。

下面參照附圖，結合實施例對本發明作進一步描述。

附圖說明

圖1是本發明一實施例的半導體二極管封裝結構的制造方法的流程圖。

圖2是圖1中所示半導體二極管封裝結構的制造方法的步驟S105中元件示意圖。

圖3是圖1中所示半導體二極管封裝結構的制造方法所制造的半導體二極管封裝結構的示意圖。

主要元件符號說明