[發明專利]一種高效率、高耐壓肖特基芯片

無效

• 申請號: 201210577793.4
• 申請日: 2012-12-27
• 公開（公告）號: CN103022090A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 關仕漢;呂新立
• 申請（專利權）人: 淄博美林電子有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/872
• 代理公司: 淄博佳和專利代理事務所 37223
• 代理人: 孫愛華

1.一種高效率、高耐壓肖特基芯片，包括頂部金屬層（1）、頂部金屬層（1）下方的肖特基界面（5）、緊靠肖特基界面（5）下方的多晶硅（2）、多晶硅外周的第一溝槽（3）、下部的N型外延層N-EPI（6）和N型基片N⁺Substrate（7），其特征在于：在兩相鄰第一溝槽（3）之間增設第二溝槽（4），第一溝槽（3）的底部厚度大于邊部厚度。

2.根據權利要求1所述的一種高效率、高耐壓肖特基芯片，其特征在于：所述的第二溝槽（4）為多個，每兩個第一溝槽（3）之間設置一個。

3.根據權利要求1或2所述的一種高效率、高耐壓肖特基芯片，其特征在于：所述的第二溝槽（4）的深度低于第一溝槽（3）的深度。

4.根據權利要求3所述的一種高效率、高耐壓肖特基芯片，其特征在于：所述的第一溝槽（3）的底部厚度是邊部厚度的2-5倍。