[發(fā)明專利]聚吡咯/石墨烯薄片/氧化鎳納米復合導電材料的制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210577647.1 | 申請日： | 2012-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN103012791A | 公開（公告）日： | 2013-04-03 |
| 發(fā)明（設計）人： | 孫萬虹;孟淑娟;臧榮鑫;李海玲;林華典 | 申請（專利權）人： | 西北民族大學 |
| 主分類號： | C08G73/06 | 分類號： | C08G73/06;C08K3/04;C08K3/22;C08L79/04 |
| 代理公司： | 甘肅省知識產權事務中心 62100 | 代理人： | 張英荷 |
| 地址： | 730030 甘*** | 國省代碼： | 甘肅;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 吡咯 石墨 薄片 氧化 納米 復合 導電 材料 制備 方法 | ||
1.一種聚吡咯/石墨烯薄片/氧化鎳納米復合導電材料的制備方法，是以乙醇為介質，以聚乙二醇-400為分散劑，以對甲苯磺酸為摻雜劑，三氯化鐵為引發(fā)劑，將石墨烯薄片、納米氧化鎳、吡咯單體在0~5℃下超聲聚合，得到聚吡咯/石墨烯薄片/氧化鎳納米導電復合材料。
2.如權利要求1所述聚吡咯/石墨烯薄片/氧化鎳納米復合導電材料的制備方法，其特征在于：將石墨烯薄片、納米氧化鎳、吡咯單體及聚乙二醇-400超聲分散于無水乙醇中；在0~5℃下，向體系中加入對甲苯磺酸，超聲分散5~10min；再加入三氯化鐵溶液，超聲條件下反應2~4h；靜置，抽濾，洗滌，干燥，得聚吡咯/石墨烯薄片/氧化鎳納米導電復合材料。
3.如權利要求1或2所述聚吡咯/石墨烯薄片/氧化鎳納米復合導電材料的制備方法，其特征在于：所述石墨烯薄片、吡咯單體、納米氧化鎳質量比為1:?8:?3?~1:18:18。
4.如權利要求1或2所述聚吡咯/石墨烯薄片/氧化鎳納米復合導電材料的制備方法，其特征在于：所述聚乙二醇-400的用量為吡咯單體質量的1~2倍。
5.如權利要求1或2所述聚吡咯/石墨烯薄片/氧化鎳納米復合導電材料的制備方法，其特征在于：所述對甲苯磺酸的加入量吡咯單體質量的5~20%。
6.如權利要求1或2所述聚吡咯/石墨烯薄片/氧化鎳納米復合導電材料的制備方法，其特征在于：所述三氯化鐵的量為吡咯單體質量的9~18倍。
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