[發明專利]鍍膜件及其制備方法

在審

• 申請號: 201210577644.8
• 申請日: 2012-12-27
• 公開（公告）號: CN103898444A
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發明（設計）人: 劉旭;曹達華
• 申請（專利權）人: 深圳富泰宏精密工業有限公司
• 主分類號: C23C14/06
• 分類號: C23C14/06;C23C14/35
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種鍍膜件，其包括基材及形成于基材表面的膜層，其特征在于：該膜層中含有氧化鋁或硅鋁氧化物，并含有聚四氟乙烯，其中該膜層中氧化鋁或硅鋁氧化物與聚四氟乙烯的質量比為1：1.2～1：1.5。

2.如權利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：該膜層呈現白色。

3.如權利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：當膜層中含有硅鋁氧化物時，硅鋁的原子比為3：7～1：1。

4.如權利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：該基材的材質為不銹鋼、鋁合金、鈦合金或銅合金。

5.如權利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：該膜層的厚度為1～2.2μm。

6.一種鍍膜件的制備方法，其包括如下步驟：

提供基材；

在該基材的表面形成膜層，采用磁控濺射法，使用鋁靶和硅鋁靶中的一種以及聚四氟乙烯靶，并通入工作氣體氬氣和反應氣體氧氣，該膜層中含有氧化鋁或硅鋁氧化物，并含有聚四氟乙烯，其中該膜層中氧化鋁或硅鋁氧化物與聚四氟乙烯的質量比為1：1.2～1：1.5。

7.如權利要求6所述鍍膜件的制備方法，其特征在于：制備該膜層的具體工藝參數為：靶材均使用射頻電源，鋁靶或硅鋁靶的功率為3～8kw，聚四氟乙烯靶的功率為0.5～1.0kw，氬氣流量為150～200sccm，氧氣流量為120～150sccm，鍍膜溫度為160-180℃，施加于基材的偏壓為-100～-200V，鍍膜時間為60～120min。

8.如權利要求6所述鍍膜件的制備方法，其特征在于：硅鋁合金靶中硅鋁的原子比為3：7～1：1。

9.如權利要求6所述鍍膜件的制備方法，其特征在于：該基材的材質為不銹鋼、鋁合金、鈦合金或銅合金。

10.如權利要求6所述鍍膜件的制備方法，其特征在于：該膜層呈現白色。