[發明專利]差分式低噪聲并行多頻放大器

無效

• 申請號: 201210577130.2
• 申請日: 2012-12-27
• 公開（公告）號: CN103117710A
• 公開（公告）日: 2013-05-22
• 發明（設計）人: 劉海;牛曉聰;程雪;崔海娜
• 申請（專利權）人: 中國礦業大學
• 主分類號: H03F1/26
• 分類號: H03F1/26;H03F3/45
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種差分式低噪聲并行多頻放大器，其包括一差分放大結構、一多頻段低噪聲放大器輸入輸出匹配網絡和一電容交叉耦合結構，所述多頻段低噪聲放大器輸入輸出匹配網絡的輸入匹配網絡、輸出匹配網絡分別連接所述差分放大結構的輸入端和輸出端，所述電容交叉耦合結構與所述差分放大結構相連接；其特征在于：所述差分放大結構包括兩組共源共柵放大結構，第一MOS管M1和第二MOS管M2組成一組共源共柵放大結構，第三MOS管M3和第四MOS管M4組成另一組共源共柵放大結構，所述第一MOS管M1的漏極和第二MOS管M2的源極連接，所述第三MOS管M3的漏極和第四MOS管M4的源極連接，所述第二MOS管M2的柵極和第四MOS管M4的柵極分別串接第三電阻R3、第四電阻R4后都連接地，所述第一MOS管M1的柵極和第三MOS管M3的柵極為所述差分放大結構的輸入端，所述第二MOS管M2的漏極和第四MOS管M4的漏極為所述差分放大結構的輸出端，所述第一MOS管M1的源極和第三MOS管M3的源極都接地；所述多頻段低噪聲放大器輸入匹配網絡包括第七電容C7、第八電容C8、第九電容C9、第十電容C10、第七電感L7、第八電感L8、第九電感L9和第十電感L10，所述第七電容C7和第九電感L9并聯后與第九電容C9、第七電感L7串接在第一MOS管M1的柵極上，所述第八電容C8和第十電感L10并聯后與第十電容C10、第八電感L8串接在第一MOS管M1的柵極上。

2.根據權利要求1所述的差分式低噪聲并行多頻放大器，其中，所述第一MOS管M1和第三MOS管M3具有相同的溝道長度和寬度，為第一級放大結構，第二MOS管M2和第四MOS管M4具有相同的溝道長度和寬度，為第二級放大結構。

3.根據權利要求2所述的差分式低噪聲并行多頻放大器，其中，第二MOS管M2的柵極與電源之間串接第三電阻R3，第四MOS管M4的柵極與電源之間串接第四電阻R4。

4.根據權利要求2所述的差分式低噪聲并行多頻放大器，其中，所述多頻段低噪聲放大器輸出匹配網絡包括第一電感?L1、第二電感?L2、第三電感?L3、第四電感?L4、第十一電感?L11、第十二電感?L12、第一電容?C1、第二電容?C2、第三電容?C3、第四電容?C4、第十一電容?C11、第十二電容?C12、第一電阻?R1、第二電阻?R2、第五電阻?R5和第六電阻?R6；所述第一電容C1與第一電感L1并聯后，一端與第二MOS管M2的漏極相連，另一端通過第五電阻?R5接地；所述第二電容C2與第二電感L2并聯后，一端與第六MOS管M6的漏極相連，另一端通過第六電阻?R6接地；所述第三電感?L3和第一電阻R1串接在第二MOS管M2的漏極與地之間；所述第四電感?L4和第二電阻R2串接在第四?MOS管M4的漏極和地之間；所述第二MOS管M2的漏極串接第十一電感L11和第十一電容C11后連接所述輸出端；所述第六MOS管M6的漏極串接第十二電感L12和第十二電容C12后連接所述輸出端。