[發明專利]字線電壓偏置電路

在審

• 申請號: 201210577055.X
• 申請日: 2012-12-26
• 公開（公告）號: CN103077737A
• 公開（公告）日: 2013-05-01
• 發明（設計）人: 楊光軍
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G11C8/08
• 分類號: G11C8/08;G11C16/06
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

技術領域

本發明涉及一種字線電壓偏置電路，特別是涉及一種存儲器內的字線電壓偏置電路。

背景技術

圖1為現有技術中一種字線偏置電路的電路示意圖。如圖1所示，現有技術的字線偏置電路包括PMOS管P1/P2、NMOS管N1/N2/N3/N4以及緩沖器B1/B2，于現有技術的存儲器內，緩沖器B1輸出的字線電壓控制信號ENb連接于驅動管P0及NMOS管N0的柵極，驅動管P0源極接行譯碼電路XPZ，漏極接字線WL并與NMOS管N0漏極相連，NMOS管N0的源極接地，緩沖器B2輸出的字線電壓控制信號EN接NMOS管N6柵極，NMOS管N6漏極接行譯碼電路XPZ，源極接于字線WL。

當進行讀操作時，SEL＝“1”，SELb＝“0”，則NMOS管N3導通，緩沖器B1之輸入，即N3之漏極接到地，緩沖器B1輸出的字線電壓控制信號ENb為低，而N3導通接地使PMOS管P2之柵極接地，則PMOS管P2導通，NMOS管N2柵極接地則N2截止，從而P2和N2的漏極因P2導通和N2截止為高電平，同時SEL＝“0”使NMOS管N4截止，則緩沖器B2輸出EN為高，同時，P2和N2柵極的高電平送到P1/N1之柵極使得P1截止，N1導通，從而進一步保證緩沖器B1輸出的字線電壓控制信號ENb為低。

然而，由于N1/N2/N3/N4的源極接地，則于讀操作時緩沖器B1輸出的字線電壓控制信號ENb為“0”，由于驅動管P0是靠柵極低壓導通，控制其導通的字線電壓控制信號ENb低則容易導通，而字線電壓控制信號ENb僅為“0”則導致驅動管P0驅動能力小，管子大，芯片面積大。

發明內容

為克服上述現有技術的閃存存在的由于字線電壓控制信號不夠低導致的驅動管驅動能力小、管子大及芯片面積大的問題，本發明的主要目的在于提供一種字線電壓偏置電路，其通過將字線電壓控制信號產生電路的電源負端接一負壓產生電路，使得讀操作時字線電壓控制信號產生電路產生一負壓的字線電壓控制信號，以更好的驅動驅動管，減小管子尺寸及芯片面積。

為達上述及其它目的，本發明一種字線電壓偏置電路，至少包括：

字線電壓控制信號產生電路，用于產生連接驅動管的第一字線電壓控制信號及第二字線電壓控制信號，其電源負端接負壓產生電路，以于讀控制信號控制存儲器讀操作時，該字線電壓控制信號產生電路產生的負壓的該第一字線電壓控制信號；以及

負壓產生電路，連接于該字線電壓控制信號產生電路，以于讀操作時提供負壓至該第一字線電壓控制信號。

進一步地，該字線電壓控制信號產生電路包括包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一緩沖器及第二緩沖器，其中該第一NMOS管、該第二NMOS管、該第三NMOS管、該第四NMOS管源極及該第一緩沖器均接于該負壓產生電路，該第三NMOS管柵極接第一讀控制信號，漏極接該第一緩沖器輸入端，該第一緩沖器輸出端輸出該第一字線電壓控制信號，該第四NMOS管柵極接第二讀控制信號，漏極接該第二緩沖器輸入端，該第二緩沖器輸出端輸出該第二字線電壓控制信號，該第一PMOS管及該第二PMOS管漏極接電源正端，該第一PMOS管柵極與該第一NMOS管柵極互連，并與該第二PMOS管漏極、柵極連接，該第一PMOS管漏極與該第一NMOS管漏極相連并接于該第一緩沖器輸入端，該第二PMOS管柵極與該第二NMOS管柵極互連，并接于該第一緩沖器輸入端，該第二PMOS管漏極與該第二NMOS管漏極相連并接于該第二PMOS管柵極及該第二緩沖器輸入端。

進一步地，該負壓產生電路包括電荷泵、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管以及比較器，該電荷泵輸出端接于該字線電壓控制信號產生電路，并接于該第四PMOS管漏極，該第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管及第六PMOS管的柵極與漏極接在一起，襯底和源極接在一起，形成有源電阻，該第三PMOS管與該第五PMOS管源極接電源電壓，該第六PMOS管漏極接地，該該第三PMOS管的源極與該第四PMOS管漏極相接，其中點被接至該比較器之正端，該第五PMOS管的漏極與該第六PMOS管的源極相接，其中點被接至該比較器的負端，該比較器輸出端輸出反饋信號至該電荷泵。

進一步地，設定該第三PMOS管、該第四PMOS管、該第五PMOS管P4及該第六PMOS管的寬長比，使該電荷泵輸出穩定的負壓。

進一步地，設定該第三PMOS管、該第四PMOS管、該第五PMOS管P4及該第六PMOS管的寬長比，使該電荷泵輸出穩定在-0.1～0.3V。