[發明專利]用于半導體制造工具的閥凈化組件

有效

• 申請號: 201210576926.6
• 申請日: 2012-12-26
• 公開（公告）號: CN103311149B
• 公開（公告）日: 2017-10-27
• 發明（設計）人: 連明惠;陳嘉和;吳淑芬;李志聰;周友華
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,孫征

1.一種用于操作半導體制造裝置的方法，所述方法包括：

提供具有側壁和穿過該側壁的孔的處理室，其中，所述處理室包括加熱元件；

提供包括與所述側壁形成可拆式密封以關閉所述孔的門的閥組件，其中，所述門包括與所述側壁形成所述可拆式密封的彈性密封構件，所述彈性密封構件包括O型圈或墊圈；

通過在所述處理室內實施操作來操作所述裝置；

在所述操作過程中，將惰性凈化氣體輸送到所述閥組件以防止處理氣體對所述O型圈或墊圈的侵害；以及

在所述操作過程中，從所述閥組件排出所述惰性凈化氣體，其中，所述孔通過所述側壁的內部外圍表面來限定和界定，輸送惰性凈化氣體包括通過在所述外圍表面中具有開口的管道輸送所述惰性凈化氣體，排放所述惰性凈化氣體包括通過在所述外圍表面中具有開口的管道排出所述惰性凈化氣體，其中，通過單個泵經由直接連接至所述處理室的內部的第一排放線段從所述處理室抽吸所述處理氣體和經由直接連接至排出所述惰性凈化氣體的所述管道的第二排放線段從所述孔抽吸所述惰性凈化氣體，所述單個泵直接連接至所述第一排放線段和所述第二排放線段；

其中，操作所述裝置在關閉所述門之后進行，當所述門關閉時，以第一流速提供所述惰性凈化氣體，當所述門打開時，以第二流速提供所述惰性凈化氣體，所述第二流速小于所述第一流速。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述操作包括當關閉所述門并形成所述密封時，將至少一種處理氣體輸送到所述處理室以及在所述處理室中產生等離子體和電離氣體物質中的至少一種。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，所述操作還包括加熱在所述處理室中設置的襯底。

4.根據權利要求2所述的方法，其中，所述操作包括化學汽相沉積(CVD)或原子層沉積(ALD)。

5.根據權利要求2所述的方法，其中，所述操作包括等離子體蝕刻。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，所述操作包括通過至少將清潔氣體輸送到所述處理室以及在所述處理室中產生等離子體來清潔所述處理室。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，所述清潔氣體包括NF₃。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，所述惰性凈化氣體包括N₂、Ar和He中的至少一種。

9.根據權利要求1所述的方法，其中，所述排放包括通過設置在所述側壁內的排放線抽吸所述惰性凈化氣體。