[發明專利]阻變存儲器及其制備方法

無效

• 申請號: 201210576710.X
• 申請日: 2012-12-26
• 公開（公告）號: CN103066207A
• 公開（公告）日: 2013-04-24
• 發明（設計）人: 蔡一茂;毛俊;黃如;王宗巍;余牧溪
• 申請（專利權）人: 北京大學
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00;G11C13/00
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 俞波;許偉群

1.一種阻變存儲器，其特征在于，所述阻變存儲器形成于襯底上，所述阻變存儲器包括第一電極、阻變材料和第二電極，所述第一電極、阻變材料和第二電極均位于所述襯底表面，所述第一電極和所述第二電極相對設置，所述阻變材料位于所述第一電極和所述第二電極之間，且同時與所述第一電極和所述第二電極接觸；所述第一電極與所述襯底的接觸面面積大于所述第一電極與所述阻變材料相接觸的第一接觸面的面積，和/或所述第二電極與所述襯底的接觸面面積大于所述第二電極與所述阻變材料相接觸的第二接觸面的面積。

2.如權利要求1所述的阻變存儲器，其特征在于，所述阻變材料、所述第一電極和所述第二電極在所述襯底上的生長厚度相同。

3.如權利要求2所述的阻變存儲器，其特征在于，所述阻變材料、所述第一電極和所述第二電極的生長厚度均小于1μm。

4.如權利要求1所述的阻變存儲器，其特征在于，所述阻變材料、第一電極及所述第二電極的形狀均為長方體。

5.如權利要求1至4中任意一項權利要求所述的阻變存儲器，其特征在于，所述第一電極及所述第二電極的材料為下列之一:

Pt、Ti、Al。

6.如權利要求5所述的阻變存儲器，其特征在于，所述阻變材料的材料為下列之一:

TaO、AlO、HfO。

7.一種阻變存儲器的制備方法，其特征在于，包括:

在襯底上淀積電極材料；

對所述電極材料進行刻蝕，生成相互分離且相對設置的第一電極及第二電極；

在所述第一電極和第二電極之間淀積阻變材料；

以第一電極或第二電極為停止層對所述阻變材料進行化學機械拋光，形成阻變存儲器，其中，所述阻變材料同時與所述第一電極和所述第二電極接觸；所述第一電極與所述襯底的接觸面面積大于所述第一電極與所述阻變材料相接觸的第一接觸面的面積，和/或所述第二電極與所述襯底的接觸面面積大于所述第二電極與所述阻變材料相接觸的第二接觸面的面積。

8.如權利要求7所述的方法，其特征在于，所述對所述淀積材料進行刻蝕，具體為:

采用光刻法對所述電極材料進行刻蝕。

9.如權利要求7所述的阻變存儲器，其特征在于，所述第一電極及所述第二電極的材料為下列之一:

Pt、Ti、Al。

10.如權利要求7至9中任意一項權利要求所述的阻變存儲器，其特征在于，所述阻變材料的材料為下列之一:

TaO、AlO、HfO。