[發明專利]閃存存儲單元及其制備方法

有效

• 申請號: 201210576659.2
• 申請日: 2012-12-26
• 公開（公告）號: CN103904032A
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發明（設計）人: 魏征;馮駿;賈碩
• 申請（專利權）人: 北京兆易創新科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8247
• 分類號: H01L21/8247;H01L21/768;H01L27/115;H01L29/788
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 吳貴明;張永明

1.一種閃存存儲單元的制備方法，包括在襯底上形成柵極結構及在所述柵極結構之間形成接觸窗（70），其特征在于，所述接觸窗的制備包括以下步驟：

在所述具有所述柵極結構的所述襯底上沉積形成夾層介電層（50）及光刻膠；

以所述光刻膠為掩膜刻蝕所述柵極結構之間的所述夾層介電層（50）至第一高度位置，并使所述柵極結構之間殘留有部分所述夾層介電層（50）；

然后沉積形成隔離層（60）；

刻蝕去除所述柵極結構之間的隔離層（60）及殘留的所述夾層介電層（50）；以及

在所述柵極結構之間填充導電材料形成所述接觸窗（70）。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述柵極結構包括中心結構及設置在所述中心結構兩側的側壁層（40），所述中心結構包括從下至上依次設置在所述襯底上的浮柵（10）、絕緣層（20）、及控制柵（30），所述第一高度位置位于所述控制柵（30）下表面所在的水平面以下。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述隔離層（60）通過沉積介電材料形成。

4.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述介電材料為氮化硅、氧化硅、或氮氧化硅。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述隔離層（60）的厚度為100~200埃。

6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述隔離層（60）通過化學氣相沉積、等離子體增強化學氣相沉淀、和/或高密度等離子化學氣相沉淀形成。

7.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，形成所述接觸窗（70）的導電材料為鎢。

8.一種閃存存儲單元，其特征在于，包括設置在襯底上的柵極結構以及設置在所述柵極結構之間的接觸窗（70），其中，所述柵極結構包括中心結構及設置在所述中心結構兩側的側壁層（40），所述中心結構包括從下至上依次設置在所述襯底上的浮柵（10）、絕緣層（20）、及控制柵（30），其特征在于，側壁層（40）對應所述控制柵（30）的外側設置有隔離層（60）。

9.根據權利要求8所述的閃存存儲單元，其特征在于，所述隔離層（60）由介電材料形成。

10.根據權利要求9所述的閃存存儲單元，其特征在于，所述介電材料為氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。

11.根據權利要求8所述的閃存存儲單元，其特征在于，所述隔離層（60）的厚度為100~200埃。