[發明專利]一種薄膜晶體管生長工藝無效
| 申請號： | 201210576534.X | 申請日： | 2012-12-25 |
| 公開（公告）號： | CN103035569A | 公開（公告）日： | 2013-04-10 |
| 發明（設計）人： | 曲志乾;于正友;魏薇 | 申請（專利權）人： | 青島盛嘉信息科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/77 | 分類號： | H01L21/77;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 湯東鳳 |
| 地址： | 266071 山東省青島市*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 薄膜晶體管 生長 工藝 | ||
【權利要求書】：
1.一種IGCZO?TFT生長工藝，其特征在于
該IGCZO生長工藝包括：
腐蝕ITO玻璃；
生長IGCZO復合層結構
其中，IGCZO復合層TFT器件后期制備流程如下：
刻蝕Al；
濕法腐蝕IGCZO。
2.如權利要求1所述的IGCZO?TFT生長工藝，其特征在于，上述腐蝕ITO玻璃包括使用腐蝕液HNO3：H20：HCI＝1：2：3，水浴50℃1分鐘。
3.如權利要求1所述的IGCZO?TFT生長工藝，其特征在于，
上述生長IGCZO復合層結構包括采用物理蒸發低溫沉積(PELD)系統蒸發氧化物ZnO和BaO，在ITO玻璃襯底上連續沉積生長IGCZO和C-IGCZO復合層薄膜。
4.如權利要求1所述的IGCZO?TFT生長工藝，其特征在于，
上述濕法腐蝕IGCZO包括采用H3PO4：H2O配比的溶液水浴60℃濕法腐蝕IGCZO。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
