[發明專利]熱電薄膜結構

有效

• 申請號: 201210576454.4
• 申請日: 2012-12-26
• 公開（公告）號: CN103872236A
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發明（設計）人: 呂明生;陳泰盛;施智超
• 申請（專利權）人: 財團法人工業技術研究院
• 主分類號: H01L35/12
• 分類號: H01L35/12
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種熱電薄膜結構，適于配置在一物件上，以控制該物件的溫度，熱電薄膜結構包括：

熱電基材；以及

一對第一類鉆碳層，配置在該熱電基材的相對兩表面上，其中該第一類鉆碳層具有導電性。

2.如權利要求1所述的熱電薄膜結構，還包括：

至少一第二類鉆碳層，配置在該物件上且位在該第一類鉆碳層與該物件之間，其中該熱電薄膜結構的電阻依序沿該熱電基材、該第一類鉆碳層至該第二類鉆碳層為連續且遞增。

3.如權利要求1所述的熱電薄膜結構，其中該熱電基材的厚度為2微米至200微米。

4.如權利要求1所述的熱電薄膜結構，其中該熱電基材包括BiSbTe、BiSeTe、CsBi4Te6、Bi₂Te₃、Bi₂Te₃/Se₂Te₃超晶格、PbTeSeTe/PbTe量子點或超晶格、Zn₄Sb₃合金、Ce(Fe,Co)₄Sb₁₂、PbTe合金、CoSb₃、SiGe合金、AgSbTe₂/GeTe、Bi₂Sr₂Co₂O_y、Ca₃Co₄O₉、Mg₂Si、Na_xCoO₂、La₂Te₃、MnSi1.75、SnTe、TAGS、Y₃Fe₅O₁₂。

5.如權利要求2所述的熱電薄膜結構，其中該第一類鉆碳層與該第二類鉆碳層各包括純碳或摻雜氫、氮或金屬原子的四面體非晶碳。

6.如權利要求1所述的熱電薄膜結構，其中該第一類鉆碳層的厚度為100納米至100微米，而該第一類鉆碳層的電阻率為10^-4Ω-cm至10^-1Ω-cm。

7.如權利要求2所述的熱電薄膜結構，其中該第二類鉆碳層的厚度為100納米至10微米，而該第二類鉆碳層的電阻率為10⁰Ω-cm至10¹⁰Ω-cm。

8.如權利要求2所述的熱電薄膜結構，其中該第一類鉆碳層與該第二類鉆碳層為一體化結構，且其電阻率為10^-4Ω-cm至10¹⁰Ω-cm。

9.如權利要求2所述的熱電薄膜結構，包括一對第二類鉆碳層，分別配置在該對第一類鉆碳層上，其中一第二類鉆碳層配置在該物件上且位在該第一類鉆碳層與該物件之間，其中另一第二類鉆碳層位在該第一類鉆碳層遠離該物件的一側。

10.如權利要求2所述的熱電薄膜結構，還包括：

一對金屬界面層，分別配置在該第一類鉆碳層上且位在遠離該熱電基材的一側；以及

一對金屬層，配置在該金屬界面層上且位在遠離該第一類鉆碳層的一側，其中該第二類鉆碳層位在其中一金屬層與該物件之間。

11.如權利要求10所述的熱電薄膜結構，其中該金屬界面層的厚度小于1微米，而電阻率為10^-3Ω-cm至10^-4Ω-cm。

12.如權利要求10所述的熱電薄膜結構，其中該金屬界面層為金屬碳化物。

13.如權利要求10所述的熱電薄膜結構，其中該金屬層的厚度小于100微米，而電阻率為10^-5Ω-cm至10^-6Ω-cm。

14.一種熱電薄膜結構，包括：

熱電基材；以及

一對類鉆碳層，配置在該熱電基材的相對兩表面上，其中該熱電基材的厚度為2微米至200微米，各該類鉆碳層的厚度為100納米至100微米，而各該類鉆碳層的電阻率為10^-4Ω-cm至10^-1Ω-cm。