[發(fā)明專利]Cu/ZnO/Al光電透明導(dǎo)電薄膜的沉積方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210576175.8
• 申請日: 2012-12-27
• 公開（公告）號: CN103014705A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鞠振河;張東;鄭洪;趙琰;曲博
• 申請（專利權(quán)）人: 沈陽工程學(xué)院
• 主分類號: C23C28/00
• 分類號: C23C28/00;H01L31/18
• 代理公司: 沈陽東大專利代理有限公司 21109
• 代理人: 李運(yùn)萍

1.一種Cu/ZnO/Al光電透明導(dǎo)電薄膜的沉積方法，其特征在于按照以下步驟進(jìn)行：

（1）將基片用丙酮、乙醇以及去離子水用超聲波依次清洗后，用氮氣吹干送入反應(yīng)室；

（2）磁控濺射Al膜的沉積：將沉積室本底抽到9.0×10^-4?Pa之后，通入氬氣，在基片襯底上射頻濺射Al靶材，沉積制備厚度為30~50nmAl薄膜；

（3）有機(jī)物化學(xué)氣相沉積制備中間層ZnO薄膜：將沉積反應(yīng)室真空抽至7.0×10^-4?Pa后，將沉積上Al膜的基片加熱至20~400℃，向反應(yīng)室內(nèi)同時通入氬氣攜帶的Zn(CH₂CH₃)₂和O₂，Zn(CH₂CH₃)₂和O₂量由質(zhì)量流量計控制流量比為（1~4）：（100~400），控制氣體總壓強(qiáng)為0.8~2.2Pa；在電子回旋共振頻率為650W，反應(yīng)25~40min,?得到400~600nm的ZnO薄膜；

（4）磁控濺射Cu膜的沉積：將沉積室本底抽到8.0×10^-4?Pa之后，通入氬氣，在ZnO/Al基片上射頻濺射Cu靶材，沉積制備厚度為10~40nm的Cu薄膜；

（5）對Cu/ZnO/Al的多層結(jié)構(gòu)的透明導(dǎo)電薄膜進(jìn)行高溫退火，退火溫度為100~400℃，退火時間為30min，得到Cu、Al共同摻雜的ZnO光電透明導(dǎo)電薄膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種Cu/ZnO/Al光電透明導(dǎo)電薄膜的沉積方法，其特征在于所述基片為普通康寧玻璃、藍(lán)寶石、石英、太陽能電池片、硅片或有機(jī)聚合物。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種Cu/ZnO/Al光電透明導(dǎo)電薄膜的沉積方法，其特征在于所述所述步驟（2）中磁控濺射Al膜的沉積條件具體為：對基片襯底進(jìn)行加熱至100℃并調(diào)整氬氣氣體流量使氣壓達(dá)到5Pa，濺射功率為100W，濺射時間為1~5min，使得Al薄膜厚度為30~50nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種Cu/ZnO/Al光電透明導(dǎo)電薄膜的沉積方法，其特征在于所述所述步驟（4）磁控濺射Cu膜的沉積條件具體為：ZnO/Al基片進(jìn)行加熱至150℃，并調(diào)整氬氣氣體流量使氣壓達(dá)到8Pa，濺射功率為100W，濺射時間為1~4min，使得Cu膜的厚度是10~40nm。