[發(fā)明專利]一種釬焊層預(yù)淀積方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210576167.3 | 申請(qǐng)日： | 2012-12-27 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN103264202A | 公開(kāi)（公告）日： | 2013-08-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王斌;路波;宋振國(guó);樊明國(guó) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十一研究所 |
| 主分類號(hào)： | B23K1/20 | 分類號(hào)： | B23K1/20;H01L21/60 |
| 代理公司： | 暫無(wú)信息 | 代理人： | 暫無(wú)信息 |
| 地址： | 266000 山東省*** | 國(guó)省代碼： | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 釬焊 層預(yù)淀積 方法 | ||
1.一種釬焊層預(yù)淀積方法，其特征在于，包含以下步驟：
A：真空濺射鍍膜種子層；
B：以金層和錫層依次交替電鍍的方式沉積各層。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟A中，采用磁控濺射的方法，在電路介質(zhì)基片上依次淀積粘附層和電鍍種子層。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述電路介質(zhì)基片為混合集成電路介質(zhì)基片。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述步驟B中，金的密度為19.3g/cm3；錫的密度為7.31g/cm3。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述步驟B中，金和錫的重量比是80.4∶19.6。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述步驟B中，所述金層與錫層總厚度比為1.55∶1。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述步驟B中，所述金層和錫層間隔電鍍，每層1微米。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述步驟B中，所述金層和錫層共計(jì)電鍍9層。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述步驟B中，所述第8層為錫層電鍍0.9微米。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述步驟B中，所述第9層為金層電鍍2.1微米。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十一研究所，未經(jīng)中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十一研究所許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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