[發明專利]成膜方法

有效

• 申請號: 201210576159.9
• 申請日: 2012-12-26
• 公開（公告）號: CN103184429A
• 公開（公告）日: 2013-07-03
• 發明（設計）人: 古屋治彥;小川淳;上西雅彥;伊勢昌之;榎美貴
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C23C16/40
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

1.一種成膜方法，其在成膜裝置中進行，該成膜裝置包括：

旋轉臺，其以能夠旋轉的方式收容在真空容器內，在其表面具有用于載置多個基板的載置部；

第一氣體供給部，其配置于上述旋轉臺的上述表面的第一處理區域，用于向上述旋轉臺的上述表面供給反應氣體；

第二氣體供給部，其配置于沿上述旋轉臺的周向與上述第一處理區域分開的第二處理區域，用于向上述旋轉臺的上述表面供給反應氣體；

分離區域，其在上述真空容器內設于上述第一處理區域和上述第二處理區域之間，該分離區域包括用于向上述旋轉臺的上述表面供給分離氣體的分離氣體供給部，

其中，該成膜方法包括如下步驟：

吸附步驟：一邊使上述旋轉臺旋轉，一邊自上述分離氣體供給部供給上述分離氣體而將上述第一處理區域和上述第二處理區域分離，并且不自上述第二氣體供給部供給反應氣體，自上述第一氣體供給部以規定的期間供給第一反應氣體，從而使上述第一反應氣體吸附于上述基板之上；

反應步驟：一邊使上述旋轉臺旋轉，一邊自上述分離氣體供給部供給上述分離氣體而將上述第一處理區域和上述第二處理區域分離，并且不自上述第一氣體供給部供給反應氣體，自上述第二氣體供給部以規定的期間供給第二反應氣體，使吸附于上述基板之上的上述第一反應氣體與上述第二反應氣體反應，

從而在上述基板之上形成上述第一反應氣體和上述第二反應氣體的反應生成物的第一薄膜。

2.根據權利要求1所述的成膜方法，其特征在于，

該成膜方法還包括接著上述吸附步驟進行的第一非活性氣體供給步驟，即，一邊使上述旋轉臺旋轉，一邊自上述分離氣體供給部供給上述分離氣體而將上述第一處理區域和上述第二處理區域分離，并且不自上述第二氣體供給部供給反應氣體，自上述第一氣體供給部以規定的期間供給非活性氣體。

3.根據權利要求1所述的成膜方法，其特征在于，

該成膜方法還包括接著上述反應步驟進行的第二非活性氣體供給步驟，即，一邊使上述旋轉臺旋轉，一邊自上述分離氣體供給部供給上述分離氣體而將上述第一處理區域和上述第二處理區域分離，并且不自上述第一氣體供給部供給反應氣體，自上述第二氣體供給部以規定的期間供給非活性氣體。

4.根據權利要求1所述的成膜方法，其特征在于，

該成膜方法還包括在上述吸附步驟之前進行的如下步驟，即，一邊使上述旋轉臺旋轉，一邊自上述分離氣體供給部供給上述分離氣體而將上述第一處理區域和上述第二處理區域分離，自上述第一氣體供給部供給第三反應氣體，并且自上述第二氣體供給部供給第四反應氣體，在上述基板之上形成上述第三反應氣體和上述第四反應氣體的反應生成物的第二薄膜。

5.根據權利要求4所述的成膜方法，其特征在于，

上述第一反應氣體為含鋁的氣體，

上述第二反應氣體為含氧的氣體，

上述第三反應氣體為含鋯的氣體，

上述第四反應氣體為含氧的氣體。

6.根據權利要求4所述的成膜方法，其特征在于，

上述第一反應氣體為含鋁的有機金屬原料的氣體，

上述第二反應氣體為氧氣或臭氧氣體，

上述第三反應氣體為含鋯的有機金屬原料的氣體，

上述第四反應氣體為氧氣或臭氧氣體。

7.根據權利要求4所述的成膜方法，其特征在于，

上述第一反應氣體包括添加于上述第二薄膜的原子。

8.根據權利要求4所述的成膜方法，其特征在于，

該成膜方法反復進行如下處理：每次在使上述旋轉臺旋轉M次的期間內進行用于形成上述第二薄膜的步驟，在使上述旋轉臺旋轉N次的期間內進行上述吸附步驟，并且接著進行上述反應步驟，其中，N＜M。

9.根據權利要求4所述的成膜方法，其特征在于，

上述第二薄膜為高電容率膜，

上述第一薄膜包括添加于上述高電容率膜的原子。

10.根據權利要求4所述的成膜方法，其特征在于，

上述第二薄膜為ZrO膜，

上述第一薄膜包括添加于上述ZrO膜的Al。