[發明專利]LED外延結構及其制備方法

無效

• 申請號: 201210576134.9
• 申請日: 2012-12-26
• 公開（公告）號: CN103078017A
• 公開（公告）日: 2013-05-01
• 發明（設計）人: 陳勇
• 申請（專利權）人: 光達光電設備科技（嘉興）有限公司
• 主分類號: H01L33/02
• 分類號: H01L33/02;H01L33/00
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種LED外延結構，其包括自下至上依次排列的襯底、緩沖層、犧牲層、N型氮化鎵層、量子阱層和P型氮化鎵層，其特征在于：所述犧牲層與所述量子阱層之間還具有一光屏蔽層，所述光屏蔽層對用于剝離襯底的激光的吸收率大于相同厚度的N型氮化鎵材料層對激光的吸收率。?

2.如權利要求1所述的LED外延結構，其特征在于：所述光屏蔽層位于所述犧牲層和所述N型氮化鎵層之間，或位于所述N型氮化鎵層和所述量子阱層之間，或嵌于所述N型氮化鎵層中。?

3.如權利要求1所述的LED外延結構，其特征在于：所述光屏蔽層具有粗糙表面。?

4.如權利要求1所述的LED外延結構，其特征在于：所述犧牲層的材料為氮化鎵或氮化鋁鎵。?

5.如權利要求1至4中任一項所述的LED外延結構，其特征在于：所述光屏蔽層為一層或多層無圖形膜。?

6.如權利要求5所述的LED外延結構，其特征在于：所述光屏蔽層的材料對激光的吸收率高于N型氮化鎵對激光的吸收率。?

7.如權利要求6所述的LED外延結構，其特征在于：所述光屏蔽層的材料為氮化硼及氮化鋁中的一種或其組合。?

8.如權利要求1至4中任一項所述的LED外延結構，其特征在于：所述光屏蔽層包括若干圖形化的子光屏蔽層和連接層，所述子光屏蔽層的圖形相互配合，以使在對所述襯底進行激光剝離時從所述襯底一側入射的激光能夠?被所述子光屏蔽層阻擋，所述連接層位于若干所述子光屏蔽層之間，所述連接層的材料為氮化鋁鎵、氮化鋁、氮化鎵中的一種或幾種的組合，所述子光屏蔽層的材料對激光的吸收率高于N型氮化鎵對激光的吸收率。?

9.如權利要求8所述的LED外延結構，其特征在于：所述第一光屏蔽層的材料為氮化硼、氮化鋁、光屏蔽金屬、光屏蔽氧化物或光屏蔽聚合物中的一種或幾種的組合，所述第二光屏蔽層的材料為氮化硼、氮化鋁、光屏蔽金屬、光屏蔽氧化物或光屏蔽聚合物中的一種或幾種的組合。?

10.如權利要求8所述的LED外延結構，其特征在于：所述光屏蔽層包括一圖形化的第一子光屏蔽層、一圖形化的第二子光屏蔽層和一連接層，所述第一子光屏蔽層的圖形和所述第二子光屏蔽層的圖形的位置相互補，所述連接層位于所述第一子光屏蔽層和所述第二子光屏蔽層之間。?

11.如權利要求10所述的LED外延結構，其特征在于：所述第一子光屏蔽層和所述第二子光屏蔽層的橫截面形狀均為格子形。?

12.一種LED外延結構的制備方法，其包括：?

提供襯底；?

在所述襯底上制備緩沖層；?

在所述緩沖層上制備犧牲層；?

在所述犧牲層上制備N型氮化鎵層；?

在所述N型氮化鎵層上制備量子阱層；?

在所述量子阱層上制備P型氮化鎵層；?

其特征在于：在所述襯底上制備緩沖層的步驟和在所述N型氮化鎵層上制備量子阱層的步驟之間，還包括制備一光屏蔽層，所述光屏蔽層位于所述犧牲層與所述量子阱層之間，所述光屏蔽層對用于剝離襯底的激光的吸收率大于相同厚度的N型氮化鎵材料層對激光的吸收率。?

13.如權利要求12所述的LED外延結構的制備方法，其特征在于：制備一光屏蔽層，所述光屏蔽層位于所述犧牲層與所述量子阱層之間的步驟包括?

在所述緩沖層上制備犧牲層的步驟和在所述犧牲層上制備N型氮化鎵層的步驟之間，在所述犧牲層上制備所述光屏蔽層；?

或在所述犧牲層上制備N型氮化鎵層的步驟和在所述N型氮化鎵層上制備量子阱層的步驟之間，在所述N型氮化鎵層上制備所述光屏蔽層；?

或在所述犧牲層上制備第一N型氮化鎵層；在所述第一N型氮化鎵層上制備所述光屏蔽層；在所述光屏蔽層上制備第二N型氮化鎵層。?

14.如權利要求13所述的LED外延結構的制備方法，其特征在于：在制備所述光屏蔽層之前，對所述光屏蔽層直接沉積在其上的所述犧牲層、所述N型氮化鎵層或所述第一N型氮化鎵層的表面進行粗化，使得制備的所述光屏蔽層具有粗糙表面。?

15.如權利要求13至14中任一項所述的LED外延結構的制備方法，其特征在于：所述光屏蔽層為一層或多層無圖形膜，所述光屏蔽層的材料對激光的吸收率高于N型氮化鎵對激光的吸收率。?