[發明專利]一種 ZnO/Al/ZnO光電透明導電薄膜的沉積制備方法

有效

• 申請號: 201210576026.1
• 申請日: 2012-12-27
• 公開（公告）號: CN103031556A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發明（設計）人: 張鐵巖;趙琰;張東;趙志剛;張曉慧;李昱材;鄧瑋
• 申請（專利權）人: 沈陽工程學院
• 主分類號: C23C28/00
• 分類號: C23C28/00;C23C16/40;C23C16/44;C23C14/35;C23C14/18;B32B15/04;B32B9/04
• 代理公司: 沈陽東大專利代理有限公司 21109
• 代理人: 李運萍

1.一種ZnO/Al/ZnO光電透明導電薄膜的沉積制備方法，其特征在于按照以下步驟進行：

（1）將玻璃基片依次用丙酮、乙醇和去離子水超聲波清洗后，用氮氣吹干送入氣相沉積反應室，將反應室抽真空至7.0×10^-4?Pa后，將基片加熱至400℃，向反應室內同時通入攜帶有Zn(CH₂CH₃)₂的氬氣和氧氣，其中氬氣和氧氣的流量比為1：（100-150），控制微波功率為650W，沉積制備20-50nm厚的ZnO薄膜，沉積結束后用高純氮氣清洗氣相沉積反應室，取出基片；

（2）將沉積有ZnO薄膜的基片置于磁控濺射室中，將磁控濺射室真空抽至10^-4Pa后，加熱基片至100℃，通入氬氣控制氣壓為8Pa，以純Al為靶材進行磁控濺射，濺射功率為100W，濺射時間為1-5min，在沉積有ZnO薄膜的玻璃基片上濺射5-30nm厚的Al膜；

（3）將上述濺射后的基片轉移至氣相沉積反應室中，將反應室抽真空至7.0×10^-4?Pa后，將基片加熱至400℃，向反應室內同時通入攜帶有Zn(CH₂CH₃)₂的氬氣和氧氣，其中氬氣和氧氣的流量比為1：（100-150），控制微波功率為650W，再次沉積制備20-50nm厚的ZnO薄膜，沉積結束后用高純氮氣清洗氣相沉積反應，取出基片；

（4）對上述基片于100-400℃高溫退火30min，得到結構為ZnO/Al/ZnO的光電透明導電薄膜。