[發(fā)明專利]一種修調(diào)電阻及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210576025.7
• 申請日: 2012-12-25
• 公開（公告）號: CN103094250A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 楊彥濤;陳文偉;劉慧勇;韓健;江宇雷;雷輝
• 申請（專利權(quán)）人: 杭州士蘭集成電路有限公司
• 主分類號: H01L23/525
• 分類號: H01L23/525;H01L21/768
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種修調(diào)電阻，包括：

一半導(dǎo)體襯底；

一介質(zhì)層，形成于所述半導(dǎo)體襯底上；

一熔絲修調(diào)形狀，由熔絲淀積形成于所述介質(zhì)層上，所述熔絲修調(diào)形狀具有一熔斷區(qū)域和兩端，所述熔斷區(qū)域中具有改變電流密度大小的修調(diào)結(jié)構(gòu)以及在所述熔絲修調(diào)形狀的兩端分別具有一連接墊；

一鈍化層，形成在所述熔絲修調(diào)形狀和介質(zhì)層上，所述鈍化層具有對應(yīng)所述修調(diào)結(jié)構(gòu)的修調(diào)窗口和分別具有對應(yīng)所述連接墊的一壓點窗口。

2.如權(quán)利要求1所述的修調(diào)電阻，其特征在于，所述修調(diào)結(jié)構(gòu)為彎曲形狀。

3.如權(quán)利要求2所述的修調(diào)電阻，其特征在于，所述彎曲形狀的寬度與除所述彎曲形狀以外的熔斷區(qū)域的寬度相同或變窄。

4.如權(quán)利要求3所述的修調(diào)電阻，其特征在于，當(dāng)所述彎曲形狀的寬度變窄時，所述彎曲形狀以外的熔斷區(qū)域的寬度大于所述彎曲形狀的寬度的1.5倍。

5.如權(quán)利要求4所述的修調(diào)電阻，其特征在于，所述彎曲形狀為至少一個拐角，以每個所述拐角為分界點的兩邊熔絲的夾角為1-179度。

6.如權(quán)利要求5所述的修調(diào)電阻，其特征在于，以所述拐角為分界點的兩邊熔絲的寬度相同或不相同。

7.如權(quán)利要求4所述的修調(diào)電阻，其特征在于，所述彎曲形狀為至少一弧形，每段所述弧形為圓弧形或橢圓弧形的弧度為1-359度。

8.如權(quán)利要求4所述的修調(diào)電阻，其特征在于，所述介質(zhì)層具有至少一階梯，覆蓋于每個所述階梯上的所述彎曲形狀為一臺階。

9.如權(quán)利要求8所述的修調(diào)電阻，其特征在于，所述臺階的高度大于等于所述熔絲厚度的0.1倍。

10.如權(quán)力要求6、7或9所述的修調(diào)電阻，其特征在于，所述修調(diào)窗口涵蓋住所述熔斷區(qū)域，所述修調(diào)窗口的形狀與熔斷區(qū)域的形狀相同或不同。

11.如權(quán)力要求10所述的修調(diào)電阻,其特征在于，所述修調(diào)窗口的形狀與熔斷區(qū)域的形狀相同時，所述修調(diào)窗口大小大于等于熔斷區(qū)域的兩倍。

12.如權(quán)利要求1所述的修調(diào)電阻，其特征在于，所述介質(zhì)層為單層介質(zhì)層或復(fù)合介質(zhì)層。

13.如權(quán)利要求1所述的修調(diào)電阻，其特征在于，所述介質(zhì)層的厚度為

14.如權(quán)利要求1所述的修調(diào)電阻，其特征在于，所述熔絲采用的材料為多晶硅時，所述熔絲的厚度為

15.如權(quán)利要求1所述的修調(diào)電阻，其特征在于，所述熔絲采用的材料為金屬時，所述金屬采用的材料為形成在所述修調(diào)電阻上用于布線連接的金屬鋁、銅、鋁合金或鋁銅合金，所述熔絲的厚度為

16.如權(quán)利要求1所述的修調(diào)電阻，其特征在于，所述鈍化層與介質(zhì)層使用的材料為具有差異大的選擇比。

17.一種修調(diào)電阻的制造方法，包括如下步驟：

提供一半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上制作一介質(zhì)層；

在所述介質(zhì)層上淀積熔絲；

選取所述熔絲的一熔斷區(qū)域，去除所述熔斷區(qū)域中的部分熔絲，暴露出所述介質(zhì)層，在所述熔斷區(qū)域中未去除熔絲的部位形成一具有改變電流密度大小的修調(diào)結(jié)構(gòu)，以及在所述熔斷區(qū)域之外的熔絲兩端分別形成一連接墊，從而形成熔絲修調(diào)形狀；

在所述熔絲修調(diào)形狀和暴露出的所述介質(zhì)層上淀積鈍化層，去除部分鈍化層，形成修調(diào)窗口，所述修調(diào)窗口暴露出所述修調(diào)結(jié)構(gòu)上的熔絲以及所述修調(diào)結(jié)構(gòu)上的熔絲下方的介質(zhì)層，在所述連接墊上的鈍化層上制作壓點窗口，形成修調(diào)電阻。

18.如權(quán)利要求17所述的修調(diào)電阻的制造方法，其特征在于，所述修調(diào)結(jié)構(gòu)為彎曲形狀。

19.如權(quán)利要求18所述的修調(diào)電阻的制造方法，其特征在于，所述彎曲形狀的寬度與除所述彎曲形狀以外的熔斷區(qū)域的寬度相同或變窄。

20.如權(quán)利要求19所述的修調(diào)電阻，其特征在于，當(dāng)所述彎曲形狀的寬度變窄時，所述彎曲形狀以外的熔斷區(qū)域的寬度大于所述彎曲形狀的寬度的1.5倍。