[發(fā)明專利]一種等離子處理器及其運(yùn)行方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210575968.8 | 申請(qǐng)日: | 2012-12-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103903947A | 公開(公告)日: | 2014-07-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 萬磊;周旭升;倪圖強(qiáng) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01J37/32 | 分類號(hào): | H01J37/32;H01L21/687 |
| 代理公司: | 上海智信專利代理有限公司 31002 | 代理人: | 王潔 |
| 地址: | 201201 上海市浦東新*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 等離子 處理器 及其 運(yùn)行 方法 | ||
1.一種等離子處理器,包括:
一個(gè)反應(yīng)腔,反應(yīng)腔內(nèi)包括一個(gè)基座,基座上方包括一個(gè)靜電夾盤,待處理基片放置在靜電夾盤上,所述基座內(nèi)還包括一個(gè)冷卻氣體供應(yīng)管道向基片下表面供應(yīng)冷卻氣體。
基座下部包括一個(gè)氣缸,氣缸內(nèi)包括一個(gè)活塞,所述活塞連接到所述多個(gè)舉升管腳,所述舉升管腳與基座上方的靜電夾盤內(nèi)的多個(gè)舉升孔位置對(duì)應(yīng),其特征在于:所述氣缸連接到一個(gè)供氣系統(tǒng),所述供氣系統(tǒng)提供高壓和低壓兩種氣壓的氣體到氣缸,在供氣系統(tǒng)提供低壓氣體到氣缸時(shí)舉升管腳頂端具有第一高度位置;供氣系統(tǒng)提供高壓氣體到氣缸時(shí)舉升管腳頂端具有第二高度位置,其中所述舉升管腳電連接到接地端。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子處理器,其特征在于:所述供氣系統(tǒng)包括一個(gè)氣源提供穩(wěn)定的高壓氣體和一個(gè)氣壓調(diào)節(jié)器從輸入端接收來著氣源的高壓氣體并在輸出端輸出穩(wěn)定的低壓氣體,還包括一個(gè)旁路開關(guān)連接在所述氣壓調(diào)節(jié)器的輸入端和輸出端。
3.如權(quán)利要求2所述的等離子處理器,其特征在于:所述供氣系統(tǒng)中氣壓調(diào)節(jié)器輸入端與氣源之間還串聯(lián)有一個(gè)閥門。
4.如權(quán)利要求1所述的等離子處理器,其特征在于:所述舉升管腳上固定有一個(gè)位置標(biāo)識(shí)裝置。
5.如權(quán)利要求4所述的等離子處理器,其特征在于:所述等離子處理器還包括一個(gè)位置識(shí)別裝置,與所述位置標(biāo)識(shí)裝置對(duì)應(yīng)并讀取位置信息。
6.如權(quán)利要求1所述的等離子處理器,其特征在于:所述舉升管腳上固定有一個(gè)限位器,基座中還固定有一個(gè)可移動(dòng)擋板在管腳上升過程中,能選擇性的阻擋或釋放所述限位器。
7.如權(quán)利要求1所述的等離子處理器,其特征在于:所述氣缸包括一個(gè)活塞分隔氣缸內(nèi)部空間為上部空間和下部空間,下部空間通過一個(gè)第一氣體進(jìn)出口連接到所述供氣系統(tǒng),并輸入所述高壓氣體或低壓氣體;上部空間通過第二氣體進(jìn)出口將氣體排出上部空間,所述活塞連接到所述舉升管腳帶動(dòng)所述舉升管腳上升或下降。
8.一種等離子處理器的運(yùn)行方法,所述等離子處理器包括:一個(gè)反應(yīng)腔,反應(yīng)腔內(nèi)包括一個(gè)基座,基座上方包括一個(gè)靜電夾盤,待處理基片放置在靜電夾盤上,所述基座內(nèi)還包括一個(gè)冷卻氣體供應(yīng)管道向基片下表面供應(yīng)冷卻氣體,所述基座還包括一個(gè)氣缸,接受來自氣體供應(yīng)系統(tǒng)的氣體驅(qū)動(dòng)多個(gè)舉升管腳上下移動(dòng),所述處理方法包括步驟:
提供處理氣體進(jìn)入等離子處理器,電燃等離子體對(duì)基片進(jìn)行處理;
熄滅等離子體;
氣體供應(yīng)系統(tǒng)提供低壓氣體到氣缸,使處于電接地狀態(tài)的舉升管腳上升并接觸基片背面;
舉升管腳抬升基片到第一高度時(shí)氣體供應(yīng)系統(tǒng)提供高壓氣體到氣缸使舉升管腳上升到第二高度;
移除基片。
9.如權(quán)利要求8所述的一種等離子處理器運(yùn)行方法,其特征在于:還包括步驟在舉升管腳抬升所述基片前,抽出冷卻氣體管道內(nèi)的冷卻氣體。
10.如權(quán)利要求8所述的一種等離子處理器運(yùn)行方法,其特征在于:所述舉升管腳接觸基片背面到基片抬升到第一高度需要1-3秒。
11.如權(quán)利要求8所述的一種等離子處理器運(yùn)行方法,其特征在于:所述第一高度小于等于1mm,第二高度大于10mm小于15mm。
12.如權(quán)利要求8所述的一種等離子反應(yīng)器的運(yùn)行方法,其特征在于:所述低壓氣體具有10-35PSI的氣壓,所述高壓氣體具有40-120PSI的氣壓。
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