[發(fā)明專利]一種激光法合成的NiO納米立方體顆粒的提純方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210575689.1 | 申請日： | 2012-12-26 |
| 公開（公告）號： | CN103030182A | 公開（公告）日： | 2013-04-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 田飛;曹宏梅;林奎;郭世珍;趙靜;孫景 | 申請（專利權(quán)）人： | 田飛;曹宏梅;林奎;郭世珍;趙靜;孫景 |
| 主分類號： | C01G53/04 | 分類號： | C01G53/04;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限責(zé)任專利代理事務(wù)所 12201 | 代理人： | 張宏祥 |
| 地址： | 300193 天津市南*** | 國省代碼： | 天津;12 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 激光 合成 nio 納米 立方體 顆粒 提純 方法 | ||
1.一種激光法合成的NiO納米立方體顆粒的提純方法，采用三步法去除其中的雜質(zhì)，步驟如下：
（1）去除粒徑較大鎳顆粒
將激光法合成的包含NiO納米立方體產(chǎn)物的混合物加入到質(zhì)量比為10-20倍的去離子水中，常溫下攪拌5分鐘，利用孔徑尺寸介于0.250mm-0.125mm之間，即60-120目之間的過濾網(wǎng)過濾，去除產(chǎn)物中粒徑較大鎳顆粒，得到初次純化產(chǎn)物；
（2）去除粒徑較小鎳顆粒
將步驟（1）得到的一次純化產(chǎn)物加入質(zhì)量比為2-4倍的去離子水中，在常溫下，利用攪拌器低速攪拌，同時在容器中放置磁鐵吸附溶液中的粒徑較小鎳顆粒，攪拌5分鐘后，取出磁鐵，人工刮去磁鐵上吸附的物質(zhì)；然后再次將磁鐵放置在容器中，繼續(xù)攪拌5分鐘，取出磁鐵，再刮去磁鐵上吸附物質(zhì)；如此往復(fù)三次；
（3）低溫干燥去除水分
將步驟（2）容器中剩余液體取出，低溫干燥24小時去除水分，獲得高純度NiO納米立方體顆粒。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的一種激光法合成的NiO納米立方體顆粒的提純方法，其特征在于，提純后NiO含量為99%。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于田飛;曹宏梅;林奎;郭世珍;趙靜;孫景，未經(jīng)田飛;曹宏梅;林奎;郭世珍;趙靜;孫景許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
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