[發(fā)明專利]化合物半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210575487.7
• 申請(qǐng)日: 2012-12-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103325822A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-09-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 山田敦史
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 富士通株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L29/778
• 分類號(hào): H01L29/778;H01L21/335
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 顧晉偉;全萬(wàn)志

1.一種化合物半導(dǎo)體器件，包括：

層疊化合物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；以及

形成在所述層疊化合物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上的電極，

其中在所述層疊化合物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的與所述電極對(duì)準(zhǔn)的下部區(qū)域中p型雜質(zhì)局域化為使得在所述層疊化合物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中生成的二維電子氣的一部分消失的深度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物半導(dǎo)體器件，其中在所述層疊化合物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的與所述電極對(duì)準(zhǔn)的所述下部區(qū)域中所述p型雜質(zhì)和氧局域化為使得在所述層疊化合物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中生成的二維電子氣的一部分消失的深度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的化合物半導(dǎo)體器件，還包括形成在所述層疊化合物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與所述電極之間的絕緣膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的化合物半導(dǎo)體器件，其中所述絕緣膜是用作所述p型雜質(zhì)的熱擴(kuò)散源的所述p型雜質(zhì)的化合物層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物半導(dǎo)體器件，其中所述p型雜質(zhì)是Mg和Be中的一種。

6.一種用于制造化合物半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：

在層疊化合物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上的待形成電極的區(qū)域中形成摻雜有p型雜質(zhì)的化合物層；以及

對(duì)所述化合物層進(jìn)行熱處理以使所述化合物層的所述p型雜質(zhì)擴(kuò)散到使得在所述層疊化合物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中生成的二維電子氣的一部分消失的深度。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于制造化合物半導(dǎo)體器件的方法，其中對(duì)形成為覆蓋所述層疊化合物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的上部的所述化合物層進(jìn)行濕法蝕刻，以留下待形成電極的所述區(qū)域中的所述化合物層。

8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的用于制造化合物半導(dǎo)體器件的方法，其中形成保護(hù)膜以覆蓋所述化合物層，并且對(duì)覆蓋有所述保護(hù)膜的所述化合物層進(jìn)行所述熱處理。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于制造化合物半導(dǎo)體器件的方法，還包括：

在所述熱處理之后，移除所述化合物層；以及

在待形成電極的所述區(qū)域中形成柵電極。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于制造化合物半導(dǎo)體器件的方法，還包括：

在所述熱處理之后，在所述化合物層上形成柵電極。