[發明專利]有序多孔金納米棒陣列及其制備方法和用途

有效

• 申請號: 201210575103.1
• 申請日: 2012-12-26
• 公開（公告）號: CN103058132A
• 公開（公告）日: 2013-04-24
• 發明（設計）人: 陳斌;孟國文;黃竹林;許巧玲;朱儲紅;唐海賓
• 申請（專利權）人: 中國科學院合肥物質科學研究院
• 主分類號: B82B1/00
• 分類號: B82B1/00;B82B3/00;C25D5/02;C23C28/02;G01N21/65
• 代理公司: 合肥和瑞知識產權代理事務所(普通合伙) 34118
• 代理人: 任崗生

1.一種有序多孔金納米棒陣列，由甲基丙烯酸甲酯襯底上覆有金膜，以及金膜上的金納米棒陣列組成，其特征在于：

所述金納米棒陣列為多孔金納米棒陣列，所述構成多孔金納米棒陣列的多孔金納米棒的棒長為150～250nm、棒直徑為50～70nm，其上孔的直徑為5～20nm。

2.根據權利要求1所述的有序多孔金納米棒陣列，其特征是多孔金納米棒上的孔為均勻分布。

3.根據權利要求1所述的有序多孔金納米棒陣列，其特征是襯底的厚度≥10μm，金膜的厚度≥100nm。

4.一種權利要求1所述有序多孔金納米棒陣列的制備方法，包括于納米通孔氧化鋁膜板的一面鍍金膜，其特征在于完成步驟如下：

步驟1，先將一面鍍有金膜的氧化鋁模板置于混合電解液中，于電壓為0.2～0.8V的恒壓直流下電沉積1～10min，其中，混合電解液由硝酸銀電解液與氯金酸電解液按照兩者含有的金離子與銀離子之比為1：2～5的比例混合而成，得到一面鍍有金膜、孔中沉積有金銀合金納米棒陣列的氧化鋁模板，再將一面鍍有金膜、孔中沉積有金銀合金納米棒陣列的氧化鋁模板置于0～2℃下的濃度為65～69wt%的硝酸溶液中反應1～10min，得到一面鍍有金膜、孔中置有多孔金納米棒陣列的氧化鋁模板；

步驟2，先于一面鍍有金膜、孔中置有多孔金納米棒陣列的氧化鋁模板的金膜的另一面上涂敷液態甲基丙烯酸甲酯，待其固化后，得到其一面鍍有金膜、孔中置有多孔金納米棒陣列以及金膜上涂敷有甲基丙烯酸甲酯的氧化鋁模板，再將其一面鍍有金膜、孔中置有多孔金納米棒陣列以及金膜上涂敷有甲基丙烯酸甲酯的氧化鋁模板置于堿溶液中去除氧化鋁模板，制得有序多孔金納米棒陣列。

5.根據權利要求4所述的有序多孔金納米棒陣列的制備方法，其特征是硝酸銀電解液為160g/L的亞硫酸鈉、30g/L的磷酸氫二鉀、5g/L的乙二胺四乙酸和12g/L的硝酸銀的混合液，配制時硝酸銀最后混入。

6.根據權利要求4所述的有序多孔金納米棒陣列的制備方法，其特征是氯金酸電解液為160g/L的亞硫酸鈉、30g/L的磷酸氫二鉀、5g/L的乙二胺四乙酸和10g/L的氯金酸的混合液，配制時氯金酸最后混入。

7.根據權利要求4所述的有序多孔金納米棒陣列的制備方法，其特征是納米通孔氧化鋁模板的制作為，先將鋁片置于濃度為0.2～0.4mol/L的草酸溶液或磷酸溶液或硫酸溶液中，于直流電壓為30～50V下陽極氧化8～12h，再將其于溫度為50～70℃的4～8wt%磷酸和1.6～2wt%鉻酸的混和溶液中浸泡8～12h，接著，將其再次于同樣的工藝條件下進行第二次陽極化后，先用氯化銅或氯化錫溶液去除背面未氧化的鋁，再用3～7wt%的磷酸溶液腐蝕掉位于孔底部的氧化鋁障礙層，得到孔直徑為60～80nm的納米通孔氧化鋁模板。

8.根據權利要求4所述的有序多孔金納米棒陣列的制備方法，其特征是鍍金膜為使用離子濺射技術，濺射時納米通孔氧化鋁模板的一面與金靶之間的距離為2cm、濺射電流為40mA、濺射時間≥15min，得到厚度≥100nm的金膜。

9.一種權利要求1所述有序多孔金納米棒陣列的用途，其特征在于：

利用有序多孔金納米棒陣列具有的表面增強拉曼散射效應性能，使用激光拉曼光譜儀來檢測痕量羅丹明。

10.根據權利要求9所述的有序多孔金納米棒陣列的用途，其特征是激光拉曼光譜儀的激發光的波長為532nm、功率為0.1mW、積分時間為10s。