[發明專利]半導體器件制造方法

有效

• 申請號: 201210575014.7
• 申請日: 2012-12-26
• 公開（公告）號: CN103177968A
• 公開（公告）日: 2013-06-26
• 發明（設計）人: 江口浩次;小田洋平;足立信一
• 申請（專利權）人: 株式會社電裝
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/304
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 舒雄文;王英

1.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：

制備具有前表面（3a）的半導體襯底（3）；

在所述前表面（3a）上形成電絕緣層（6）；

通過使用所述絕緣層（6）作為掩模來在所述半導體襯底（3）中形成多個溝槽（8），以使得所述絕緣層（6）的第一部分（6a）位于相鄰溝槽（8）之間的所述前表面（3a）上，并且使得所述絕緣層（6）的第二部分（6b）位于除了相鄰溝槽（8）之間以外的位置處的所述前表面（3a）上；

通過完全去除所述第一部分（6a）并部分地去除所述第二部分（6b）來去除所述絕緣層（6），以使得所述多個溝槽（8）中的每一個的開口周圍的所述第二部分（6b）被去除；

通過在所述前表面（3a）側上外延生長外延層（9），而利用所述外延層（9）填充所述多個溝槽（8），以及

通過使用所述第二部分（6b）作為拋光停止部對所述外延層（9）進行拋光，而對所述前表面（3a）側進行平坦化。

2.根據權利要求1所述的方法，其中：

所述形成所述絕緣層（6）包括形成氧化物層，并且

所述去除所述絕緣層（6）包括在非還原性氣氛中對所述絕緣層（6）進行退火。

3.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在形成所述多個溝槽（8）之前，在所述絕緣層（6）上形成抗蝕劑（11），其中：

所述形成所述多個溝槽（8）包括不僅使用所述絕緣層（6）還使用所述抗蝕劑（11）作為所述掩模，并且

所述去除所述絕緣層（6）包括通過使用所述抗蝕劑（11）作為所述掩模而對所述絕緣層（6）進行各向同性蝕刻。

4.根據權利要求1所述的方法，其中：

所述制備所述半導體襯底（3）包括制備具有由切割線（4）分割的多個芯片區（5）的半導體晶片，并且

所述去除所述絕緣層（6）包括在所述切割線（4）上留下所述第二部分（6b）。

5.根據權利要求1所述的方法，其中：

所述對所述前表面（3a）側進行平坦化包括進行第一平坦化工藝和第二平坦化工藝，

所述進行所述第一平坦化工藝包括通過使用所述第二部分（6b）作為所述拋光停止部來用第一拋光液對所述外延層（9）進行拋光，

所述進行所述第二平坦化工藝包括用第二拋光液同時對所述前表面（3a）上的所述第二部分（6b）和所述外延層（9）進行拋光，直到拋光掉預定厚度的所述前表面（3a），

所述第二拋光液的拋光選擇性小于所述第一拋光液的拋光選擇性，并且

所述拋光選擇性是拋光所述半導體襯底（3）的第一速率與拋光所述氧化物層（6）的第二速率的比。

6.根據權利要求1-5中任一項所述的方法，其中：

所述制備所述半導體襯底（3）包括制備第一導電類型的所述半導體襯底，并且

所述填充所述多個溝槽（8）包括外延生長第二導電類型的所述外延層（9），以使得超結結構配備有每個溝槽（8）內的所述外延層（9）和相鄰溝槽（8）之間的所述半導體襯底（3）。

7.根據權利要求1-5中任一項所述的方法，其中：

所述形成所述絕緣層（6）包括形成熱氧化物層。