[發明專利]發光器件

在審

• 申請號: 201210574741.1
• 申請日: 2012-12-26
• 公開（公告）號: CN103178183A
• 公開（公告）日: 2013-06-26
• 發明（設計）人: 羅珉圭;秋圣鎬;朱炫承;洪奇錫;盧志希
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 達小麗;夏凱

1.一種發光器件，包括：

發光結構，所述發光結構包括第一導電型半導體層、有源層以及第二導電型半導體層；

透光導電層，所述透光導電層被布置在所述第二導電型半導體層上并且具有通過其使得所述第二導電型半導體層被暴露的多個開口區域；以及

第二電極，所述第二電極被布置在所述透光導電層上以便延伸超出開口區域中的至少一個，

其中，所述第二電極接觸所述開口區域中的所述第二導電型半導體層并且接觸除了所述開口區域之外的區域中的所述透光導電層。

2.一種發光器件，包括：

發光結構，所述發光結構包括第一導電型半導體層、有源層以及第二導電型半導體層；

透光導電層，所述透光導電層被布置在所述第二導電型半導體層上并且具有通過其使得所述第二導電型半導體層被暴露的多個開口區域；

第一電極，所述第一電極被布置在所述透光導電層上并且在多個區域中點接觸所述第一導電型半導體層；以及

第二電極，所述第二電極被布置在所述透光導電層上并且在除了所述開口區域之外的區域中點接觸所述透光導電層。

3.根據權利要求1或2所述的發光器件，其中，所述第二電極歐姆接觸所述透光導電層并且肖特基接觸所述第二導電型半導體層。

4.根據權利要求1或2所述的發光器件，其中，所述第一電極的至少一部分被插入在所述開口區域的至少一部分之間。

5.根據權利要求1或2所述的發光器件，其中，以恒定的間隔來布置所述開口區域的至少一部分。

6.根據權利要求1或2所述的發光器件，進一步包括：所述透光導電層上的透光絕緣層，其中所述第一電極的一部分被形成以從所述透光絕緣層、通過所述透光導電層、所述第二導電型半導體層以及有源層延伸，以便被電連接到所述第一導電型半導體層。

7.根據權利要求6所述的發光器件，其中，所述透光絕緣層被暴露以與所述透光導電層的開口區域相對應。

8.根據權利要求1或2所述的發光器件，其中，所述第一導電型半導體層是n型半導體層，以及所述第二導電型半導體層是p型半導體層。

9.根據權利要求1或2所述的發光器件，其中，所述第二電極包括第二電極焊盤以及從所述第二電極焊盤分支的至少兩個第二分支電極。

10.根據權利要求9所述的發光器件，其中，所述兩個第二分支電極被布置成相互面對。

11.根據權利要求9所述的發光器件，其中，所述第一電極的至少一部分被插入在所述兩個第二分支電極的至少一部分之間。

12.根據權利要求10所述的發光器件，其中，在其中所述透光導電層被連接在所述兩個第二分支電極中的每一個與所述第二導電型半導體層之間的至少一個區域被布置在除了所述開口區域之外的區域中。

13.根據權利要求12所述的發光器件，其中，所述至少一個區域包括其中所述透光導電層被連接在所述第二分支電極和所述第二導電型半導體層之間的、用于所述兩個第二分支電極中的每一個的至少兩個區域。

14.根據權利要求12所述的發光器件，其中，接觸所述第二導電型半導體層的所述第二分支電極的區域比被連接到所述透光導電層的所述第二分支電極的區域寬。

15.根據權利要求12所述的發光器件，其中，所述第二分支電極在與所述透光導電層的連接區域中具有的高度大于接觸所述第二導電型半導體層的區域中的所述第二分支電極的高度。

16.根據權利要求15所述的發光器件，其中，為除了所述開口區域之外的區域中的所述兩個第二分支電極中的每一個而形成的至少一個區域被布置以相互對應。

17.根據權利要求16所述的發光器件，其中，所述第一電極包括第一電極焊盤和第一分支電極，所述第一分支電極從所述第一電極焊盤分支并且被插入在所述兩個第二分支電極之間。

18.根據權利要求17所述的發光器件，其中，所述第一分支電極被布置在所述透光絕緣層上。