[發明專利]一種大尺寸磁控濺射鍍膜的簡易強化方法

無效

• 申請號: 201210574569.X
• 申請日: 2012-12-26
• 公開（公告）號: CN103014645A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 朱嘉琦;雷沛;曹文鑫;韓杰才
• 申請（專利權）人: 哈爾濱工業大學
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標事務所 23109
• 代理人: 王艷萍

1.一種大尺寸磁控濺射鍍膜的簡易強化方法，其特征在于它是通過以下步驟實現的：

一、將襯底材料用丙酮超聲波清洗15min~30min，再用無水乙醇清洗15min~30min，最后用去離子水清洗25min~30min后烘干，然后將襯底材料置于磁控濺射真空倉內的旋轉加熱臺上；通過真空泵將真空倉內抽成真空，當真空倉內壓強達到1.0×10^-4Pa~9.9×10^-4Pa時，啟動加熱裝置，將加熱臺加熱至25℃~1000℃，并且保溫30min~120min，其中旋轉加熱臺的材質為不銹鋼，襯底材料為金屬、陶瓷或半導體；

二、向真空倉內通入Ar氣，當倉內壓強為3Pa~5Pa時，向旋轉加熱臺施加500V~800V的負電壓，對襯底表面進行反濺清洗10min~20min；

三、反濺清洗完畢后，向靶材施加射頻電源啟輝，射頻功率為60W~500W，預濺射20min~50min，開始鍍膜，鍍膜時真空倉內氣體壓強為0.1Pa~2Pa，鍍膜時間為10min~90min，然后拉上擋板，接著向真空倉內通入O₂，使用流量計將O₂流量控制在4sccm~100sccm，預濺射10min~30min后，調整真空倉內氣體壓強為0.1Pa~2Pa，向旋轉加熱臺施加100V~400V的負電壓，然后移開擋板，繼續向襯底表面鍍膜，鍍膜1h~3h；

四、鍍膜完成后，依次按要求關閉射頻電源和負壓電源，關閉Ar氣閥門，質量流量器的電源，O₂氣路閥門，打開插板閥將真空倉內氣體壓強抽至1.0×10^-4Pa~5.0×10^-4Pa；

五、關閉剩余的所有電源，待真空倉內溫度降至20℃~25℃時即制得本發明所述的高密度、低缺陷薄膜。

2.如權利要求1所述的一種大尺寸磁控濺射鍍膜的簡易強化方法，其特征在于步驟一中將襯底材料用丙酮超聲波清洗20min~25min，再用無水乙醇清洗20min~25min，最后用去離子水清洗26min~28min后烘干。

3.如權利要求1所述的一種大尺寸磁控濺射鍍膜的簡易強化方法，其特征在于步驟一中將襯底材料用丙酮超聲波清洗24min，再用無水乙醇清洗24min，最后用去離子水清洗27min后烘干。

4.如權利要求1至3中任一項所述的一種大尺寸磁控濺射鍍膜的簡易強化方法，其特征在于步驟一中當真空倉內壓強達到2.0×10^-4Pa~8.0×10^-4Pa時，啟動加熱裝置，將加熱臺加熱至100℃~800℃，并且保溫45min~90min。

5.如權利要求1至3中任一項所述的一種大尺寸磁控濺射鍍膜的簡易強化方法，其特征在于步驟一中當真空倉內壓強達到5.0×10^-4Pa時，啟動加熱裝置，將加熱臺加熱至300℃，并且保溫60min。

6.如權利要求4所述的一種大尺寸磁控濺射鍍膜的簡易強化方法，其特征在于步驟二中當倉內壓強為3.5Pa~4.5Pa時，向旋轉加熱臺施加600V~700V的負電壓，對襯底表面進行反濺清洗12min~18min。

7.如權利要求4所述的一種大尺寸磁控濺射鍍膜的簡易強化方法，其特征在于步驟二中當倉內壓強為4Pa時，向旋轉加熱臺施加650V的負電壓，對襯底表面進行反濺清洗15min。

8.如權利要求6所述的一種大尺寸磁控濺射鍍膜的簡易強化方法，其特征在于步驟三中射頻功率為100W~400W，預濺射30min~40min，開始鍍膜，鍍膜時真空倉內氣體壓強為1Pa~1.6Pa，鍍膜時間為30min~70min。

9.如權利要求6所述的一種大尺寸磁控濺射鍍膜的簡易強化方法，其特征在于步驟三中射頻功率為200W，預濺射35min，開始鍍膜，鍍膜時真空倉內氣體壓強為1.2Pa，鍍膜時間為50min。

10.如權利要求8所述的一種大尺寸磁控濺射鍍膜的簡易強化方法，其特征在于步驟三中使用流量計將O₂流量控制在10sccm~90sccm，預濺射15min~25min后，調整真空倉內氣體壓強為1Pa~1.6Pa，向旋轉加熱臺施加150V~300V的負電壓。