[發(fā)明專(zhuān)利]薄膜晶體管

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210573688.3
• 申請(qǐng)日: 2012-12-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103904125A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-07-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曾堅(jiān)信
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/786
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/786;H01L29/06
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種薄膜晶體管，包括柵極、溝道層、位于柵極和溝道層之間的柵絕緣層以及位于溝道層相對(duì)的兩側(cè)并分別與溝道層相接觸的源極和漏極，其特征在于：該溝道層和柵絕緣層之間夾設(shè)有一第一原子捕獲層。

2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述溝道層為非晶性、多晶性或結(jié)晶性結(jié)構(gòu)。

3.如權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述溝道層具有微結(jié)晶結(jié)構(gòu)。

4.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述溝道層為氧化物半導(dǎo)體層。

5.如權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述溝道層是金屬氧化物半導(dǎo)體層，該金屬氧化物半導(dǎo)體層所含金屬選自銦、鎵、鋅、錫、鋁、鉛、鉬、錳、鎂、鍺及鎘中的至少一者。

6.如權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述溝道層是氧化銦鎵鋅層。

7.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，該薄膜晶體管為頂柵結(jié)構(gòu)或底柵結(jié)構(gòu)薄膜晶體管。

8.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，該薄膜晶體管為共面結(jié)構(gòu)或反共面薄膜晶體管。

9.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，該薄膜晶體管為交錯(cuò)型或反交錯(cuò)型薄膜晶體管。

10.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一原子捕獲層的成分包括碳、硅、鍺、錫、鉛、鎂、鈣、鍶、鋇、鈦、鎳、鋁、鈷、鉑、鈀及錳中的至少一者。

11.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一原子捕獲層具有二維結(jié)構(gòu)。

12.如權(quán)利要求11所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一原子捕獲層為石墨烯層。

13.如權(quán)利要求11所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一原子捕獲層為硅原子層摻雜層。

14.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一原子捕獲層的摻雜成分選自硅、鍺、碳、氮、鋁、硼、鎂、鈣、鍶、鋇、鈦、鎳及鈷中的一者。

15.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一原子捕獲層具有三維結(jié)構(gòu)。

16.如權(quán)利要求15所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一原子捕獲層為多個(gè)石墨烯層的堆疊而成。

17.如權(quán)利要求15所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一原子捕獲層為多孔性半導(dǎo)體層。

18.如權(quán)利要求17所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一原子捕獲層為硅、鍺、鍺化硅或碳材質(zhì)的多孔性半導(dǎo)體層。

19.如權(quán)利要求18所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一原子捕獲層為多孔Si_xGe_1-x半導(dǎo)體層，其中0≦x≦1。

20.如權(quán)利要求15所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一原子捕獲層為非晶性半導(dǎo)體層。

21.如權(quán)利要求20所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一原子捕獲層為硅、鍺、鍺化硅或碳材質(zhì)的非晶性半導(dǎo)體層。

22.如權(quán)利要求21所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一原子捕獲層為非晶性Si_xGe_1-x半導(dǎo)體層，其中0≦x≦1。

23.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一原子捕獲層為金屬層，且不與源極和漏極同時(shí)電連接。

24.如權(quán)利要求23所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一原子捕獲層的材質(zhì)選自鋁、錫、鉛、鎂、鈣、鍶、鋇、鈦、鎳、鈷、鉑、鈀及錳中的一者或其合金。

25.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，該薄膜晶體管還包括第二原子捕獲層，該第二原子捕獲層位于溝道層遠(yuǎn)離柵絕緣層的一側(cè)。

26.如權(quán)利要求1或25所述的薄膜晶體管，其特征在于，該薄膜晶體管還包括第二原子捕獲層，該第二原子捕獲層位于源極和漏極之間。

27.如權(quán)利要求26所述的薄膜晶體管，其特征在于，該第二原子捕獲層與源極和漏極中的一者連接。