[發明專利]薄膜晶體管

無效

• 申請號: 201210573688.3
• 申請日: 2012-12-26
• 公開（公告）號: CN103904125A
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發明（設計）人: 曾堅信
• 申請（專利權）人: 鴻富錦精密工業（深圳）有限公司;鴻海精密工業股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種薄膜晶體管，包括柵極、溝道層、位于柵極和溝道層之間的柵絕緣層以及位于溝道層相對的兩側并分別與溝道層相接觸的源極和漏極，其特征在于：該溝道層和柵絕緣層之間夾設有一第一原子捕獲層。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述溝道層為非晶性、多晶性或結晶性結構。

3.如權利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述溝道層具有微結晶結構。

4.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述溝道層為氧化物半導體層。

5.如權利要求4所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述溝道層是金屬氧化物半導體層，該金屬氧化物半導體層所含金屬選自銦、鎵、鋅、錫、鋁、鉛、鉬、錳、鎂、鍺及鎘中的至少一者。

6.如權利要求5所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述溝道層是氧化銦鎵鋅層。

7.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，該薄膜晶體管為頂柵結構或底柵結構薄膜晶體管。

8.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，該薄膜晶體管為共面結構或反共面薄膜晶體管。

9.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，該薄膜晶體管為交錯型或反交錯型薄膜晶體管。

10.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一原子捕獲層的成分包括碳、硅、鍺、錫、鉛、鎂、鈣、鍶、鋇、鈦、鎳、鋁、鈷、鉑、鈀及錳中的至少一者。

11.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一原子捕獲層具有二維結構。

12.如權利要求11所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一原子捕獲層為石墨烯層。

13.如權利要求11所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一原子捕獲層為硅原子層摻雜層。

14.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一原子捕獲層的摻雜成分選自硅、鍺、碳、氮、鋁、硼、鎂、鈣、鍶、鋇、鈦、鎳及鈷中的一者。

15.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一原子捕獲層具有三維結構。

16.如權利要求15所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一原子捕獲層為多個石墨烯層的堆疊而成。

17.如權利要求15所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一原子捕獲層為多孔性半導體層。

18.如權利要求17所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一原子捕獲層為硅、鍺、鍺化硅或碳材質的多孔性半導體層。

19.如權利要求18所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一原子捕獲層為多孔Si_xGe_1-x半導體層，其中0≦x≦1。

20.如權利要求15所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一原子捕獲層為非晶性半導體層。

21.如權利要求20所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一原子捕獲層為硅、鍺、鍺化硅或碳材質的非晶性半導體層。

22.如權利要求21所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一原子捕獲層為非晶性Si_xGe_1-x半導體層，其中0≦x≦1。

23.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一原子捕獲層為金屬層，且不與源極和漏極同時電連接。

24.如權利要求23所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一原子捕獲層的材質選自鋁、錫、鉛、鎂、鈣、鍶、鋇、鈦、鎳、鈷、鉑、鈀及錳中的一者或其合金。

25.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，該薄膜晶體管還包括第二原子捕獲層，該第二原子捕獲層位于溝道層遠離柵絕緣層的一側。

26.如權利要求1或25所述的薄膜晶體管，其特征在于，該薄膜晶體管還包括第二原子捕獲層，該第二原子捕獲層位于源極和漏極之間。

27.如權利要求26所述的薄膜晶體管，其特征在于，該第二原子捕獲層與源極和漏極中的一者連接。