[發明專利]一種阻變式存儲單元及其形成方法有效
| 申請號： | 201210572687.7 | 申請日： | 2012-12-25 |
| 公開（公告）號： | CN103066206A | 公開（公告）日： | 2013-04-24 |
| 發明（設計）人： | 李辛毅;吳華強;錢鶴 | 申請（專利權）人： | 清華大學 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00;C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 張大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 阻變式 存儲 單元 及其 形成 方法 | ||
1.一種阻變式存儲單元的形成方法，其特征在于，包括：
S1.提供硅襯底；
S2.在所述硅襯底之上形成隔離層；
S3.在所述隔離層之上形成底電極；
S4.在室溫下通過磁控濺射以在所述底電極之上形成阻變材料層，其中，進一步包括：
S41.在第一壓強、第一氛圍中，通過磁控濺射在所述底電極之上形成TaOx的第一阻變層，其中0<x<2；和
S42.在第二壓強、第二氛圍中，通過磁控濺射在在所述第一阻變層之上形成TaOy的第二阻變層，其中0<y<2.5；
S5.在所述阻變材料層之上形成頂電極；以及
S6.去除所述步驟S5中濺射到所述底電極的表面的阻變材料TaOx和TaOy。
2.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述步驟S4重復多次以形成多層第一阻變層和多層第二阻變層的交替的多層阻變材料層結構。
3.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一壓強應小于第二壓強。
4.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一壓強為10-3T，第二壓強為10-3T-10-2T。
5.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一氛圍和第二氛圍為氬氣摻氧氣的混合氣體，其中第一氛圍的氧氣摩爾百分比小于第二氛圍的氧氣摩爾比百分比。
6.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一氛圍的氧氣摩爾百分比小于5%，所述第二氛圍的氧氣摩爾百分比>4%。
7.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一阻變層的厚度應大于第二阻變層的厚度。
8.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一阻變層的厚度為10nm-80nm，第二阻變層的厚度為5-20nm。
9.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于所述阻變單元和頂電極的圖形是通過光刻和剝離工藝形成的。
10.如權利要求1-9任一項所述方法制備得到的阻變式存儲單元。
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