[發明專利]基于SRAM的PUF的片上自我注冊系統及其實現方法有效
| 申請號: | 201210572609.7 | 申請日: | 2012-12-20 |
| 公開(公告)號: | CN103020552A | 公開(公告)日: | 2013-04-03 |
| 發明(設計)人: | 黃宇 | 申請(專利權)人: | 天津聯芯科技有限公司 |
| 主分類號: | G06F21/79 | 分類號: | G06F21/79 |
| 代理公司: | 天津盛理知識產權代理有限公司 12209 | 代理人: | 王利文 |
| 地址: | 300384 天津市南*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 sram puf 自我 注冊 系統 及其 實現 方法 | ||
1.一種基于SRAM的PUF的片上自我注冊系統,其特征在于:包括BISE控制器、電壓調節器、溫度調節器、累加器、SRAM1和SRAM2,BISE控制器輸出端連接到電壓調節器和溫度調節器,該電壓調節器和溫度調節器的輸出端連接到SRAM2上,BISE控制器分別與SRAM1、SRAM2和累加器相連接,SRAM1、SRAM2分別與累加器的兩個輸入端相連接,該累加器的輸出端連接到SRAM1上,該SRAM1輸出PUF單元。
2.根據權利要求1所述的基于SRAM的PUF的片上自我注冊系統,其特征在于:所述的SRAM1和SRAM2具有同樣的大小和地址空間。
3.根據權利要求1所述的基于SRAM的PUF的片上自我注冊系統,其特征在于:所述的電壓調節器包括選擇電壓輸出單元和多個分壓電阻,工作電壓VDD通過分壓電阻連接到選擇電壓輸出單元上,該選擇電壓輸出單元在BISE控制器的控制下向SRAM2輸出不同的電壓。
4.根據權利要求1所述的基于SRAM的PUF的片上自我注冊系統,其特征在于:所述的溫度調節器包括計數器,該計數器在BISE控制器的控制下,向SRAM2循環交替寫入“0”和“1”,從而調節SRAM2的溫度。
5.一種如權利要求1至4任一項所述片上自我注冊系統的實現方法,其特征在于:包括以下步驟:
步驟1:BISE控制器由初始態自動進入檢測模式0,進行檢測并輸出檢測模式0下的PUF單元。
步驟2:BISE控制器自動進入檢測模式1,進行檢測并輸出檢測模式1下的PUF單元。
6.根據權利要求1所述的基于SRAM的PUF的片上自我注冊方法,其特征在于:所述檢測模式0的檢測過程為:首先,SRAM1所有單元被初始化成“0”;然后,在各種環境參數組合下,SRAM2上電并讀取SRAM2的每個單元的初始邏輯值,將該邏輯值和SRAM1相應單元的邏輯值進行邏輯“或”運算并把結果存入SRAM1相應單元,重復以上操作直到所有環境參數全部遍歷完畢;最后,將穩定可靠的SRAM2“0”的單元地址輸出作為PUF特征地址,“0”作為這些特征地址的特征值。
7.根據權利要求1所述的基于SRAM的PUF的片上自我注冊方法,其特征在于:所述檢測模式1的檢測過程為:首先,SRAM1所有單元被初始化成“1”;然后,在各種環境參數組合下,SRAM2上電并讀取SRAM2的每個單元的初始邏輯值,將該邏輯值和SRAM1相應單元的邏輯值進行邏輯“與”運算并把結果存入SRAM1相應單元,重復以上操作直到所有環境參數全部遍歷完畢;最后,將穩定可靠的SRAM2的“1”的單元地址輸出作為PUF特征地址,“1”作為這些特征地址的特征值。
8.根據權利要求6或7所述的基于SRAM的PUF的片上自我注冊方法,其特征在于:所述的各種環境參數包括電壓調節參數和溫度調節參數。
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