[發(fā)明專利]有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210571844.2
• 申請(qǐng)日: 2012-12-25
• 公開（公告）號(hào): CN103904226A
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周明杰;王平;鐘鐵濤;張振華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/50
• 分類號(hào): H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 深圳市隆天聯(lián)鼎知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44232
• 代理人: 劉抗美;劉耿

1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，該有機(jī)電致發(fā)光器件為層狀結(jié)構(gòu)，該層狀結(jié)構(gòu)依次層疊為：陽(yáng)極導(dǎo)電基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層以及陰極層；其特征在于，在所述陰極層表面層疊有由若干層有機(jī)阻擋層和無(wú)機(jī)阻擋層交替層疊組成的混合阻擋層；其中，

所述有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為酞菁銅、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺、8-羥基喹啉鋁、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉中的一種；

所述無(wú)機(jī)阻擋層的材質(zhì)為碳化物、氮化物與硅化物組成的混合物；所述碳化物層的材質(zhì)為SiC、WC、TaC、BC、TiC或HfC中的一種，所述氮化物為Si₃N₄、AlN、BN、SiN、TaN或TiN中的一種，所述硅化物為CrSi₂、TaSi₂、HfSi₂、TiSi₂、MoSi₂或NbSi₂中的一種；

所述碳化物占所述無(wú)機(jī)阻擋層的5wt%～25wt%，所述硅化物占所述無(wú)機(jī)阻擋層的10wt%～25wt%，所述氮化物占所述無(wú)機(jī)阻擋層的45wt%～80wt%。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述無(wú)機(jī)阻擋層的厚度為100nm～150nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述有機(jī)阻擋層的厚度為200nm～300nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于：所述有機(jī)阻擋層和無(wú)機(jī)阻擋層交替層疊的層數(shù)為4~6層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于：?

所述空穴注入層的材質(zhì)為MoO₃按照30wt%的摻雜濃度摻雜入N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺中組成的摻雜混合材料；

所述空穴傳輸層的材質(zhì)為采用4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺；

所述發(fā)光層的材質(zhì)為三（2-苯基吡啶）合銥按照5wt%的摻雜濃度摻雜到1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)組成的摻雜混合材料；

所述電子傳輸層的材質(zhì)為4,7-二苯基-1,10-菲羅啉；

所述電子注入層的材質(zhì)為CsN₃按照25wt%的摻雜濃度摻入4,7-二苯基-1,10-菲羅啉中組成的混合材料。

6.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟：

(a)?在清洗干凈的陽(yáng)極導(dǎo)電基板的陽(yáng)極導(dǎo)電層上，采用真空蒸鍍的方法依次層疊制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和金屬陰極層；

(b)?在所述金屬陰極層上，首先，采用真空蒸鍍的方法制備有機(jī)阻擋層；接著在所述有機(jī)阻擋層上采用磁控濺射的方法制備無(wú)機(jī)阻擋層；隨后，依次交替層疊若干次制備有機(jī)阻擋層和無(wú)機(jī)阻擋層，最后構(gòu)成混合阻擋層；其中，

所述有機(jī)阻擋層的材質(zhì)為CuPc、NPB、Alq₃、m-MTDATA或BCP中的一種；

所述無(wú)機(jī)阻擋層的材質(zhì)為碳化物、氮化物與硅化物組成的混合物；所述碳化物層的材質(zhì)為SiC、WC、TaC、BC、TiC或HfC中的一種，所述氮化物為Si₃N₄、AlN、BN、SiN、TaN或TiN中的一種，所述硅化物為CrSi₂、TaSi₂、HfSi₂、TiSi₂、MoSi₂或NbSi₂中的一種；

所述碳化物占所述無(wú)機(jī)阻擋層的5wt%～25wt%，所述硅化物占所述無(wú)機(jī)阻擋層的10wt%～25wt%，所述氮化物占所述無(wú)機(jī)阻擋層的45wt%～80wt%。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述無(wú)機(jī)阻擋層的厚度為100nm～150nm；所述有機(jī)阻擋層的厚度為200nm～300nm。