[發明專利]有機電致發光器件及其制備方法

無效

• 申請號: 201210571843.8
• 申請日: 2012-12-25
• 公開（公告）號: CN103904236A
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發明（設計）人: 周明杰;王平;鐘鐵濤;張振華
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 深圳市隆天聯鼎知識產權代理有限公司 44232
• 代理人: 劉抗美;劉耿

1.一種有機電致發光器件，該有機電致發光器件為層狀結構，該層狀結構依次層疊為：陽極導電基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層以及陰極層；其特征在于，在所述陰極層表面層疊有由若干層有機阻擋層和無機阻擋層交替層疊組成的混合阻擋層；其中，

所述有機阻擋層的材質為酞菁銅、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺、8-羥基喹啉鋁、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉中的一種；

所述無機阻擋層的材質為氧化物、氮化物與硅化物組成的混合物；所述氧化物為SiO₂、Al₂O₃、TiO₂、ZrO₂、HfO₂或Ta₂O₅中的一種，所述氮化物為Si₃N₄、AlN、BN、SiN、TaN或TiN中的一種，所述硅化物為CrSi₂、TaSi₂、HfSi₂、TiSi₂、MoSi₂或NbSi₂中的一種；

所述氧化物占所述無機阻擋層的10wt%～30wt%，所述硅化物占所述無機阻擋層的10wt%～25wt%，所述氮化物占所述無機阻擋層的45wt%～80wt%。

2.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述無機阻擋層的厚度為100nm～150nm。

3.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述有機阻擋層的厚度為200nm～300nm。

4.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于：所述有機阻擋層和無機阻擋層交替層疊的層數為4~6層。

5.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于：?

所述空穴注入層的材質為MoO₃按照30wt%的摻雜濃度摻雜入N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺中組成的摻雜混合材料；

所述空穴傳輸層的材質為采用4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺；

所述發光層的材質為三（2-苯基吡啶）合銥按照5wt%的摻雜濃度摻雜到1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)組成的摻雜混合材料；

所述電子傳輸層的材質為4,7-二苯基-1,10-菲羅啉；

所述電子注入層的材質為CsN₃按照25wt%的摻雜濃度摻入4,7-二苯基-1,10-菲羅啉中組成的混合材料。

6.一種有機電致發光器件的制備方法，包括如下步驟：

(a)?在清洗干凈的陽極導電基板的陽極導電層上，采用真空蒸鍍的方法依次層疊制備空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層和金屬陰極層；

(b)?在所述金屬陰極層上，首先，采用真空蒸鍍的方法制備有機阻擋層；接著在所述有機阻擋層上采用磁控濺射的方法制備無機阻擋層；隨后，依次交替層疊若干次制備有機阻擋層和無機阻擋層，最后構成混合阻擋層；其中，

所述有機阻擋層的材質為CuPc、NPB、Alq₃、m-MTDATA或BCP中的一種；

所述無機阻擋層的材質為氧化物、氮化物與硅化物組成的混合物；所述氧化物為SiO₂、Al₂O₃、TiO₂、ZrO₂、HfO₂或Ta₂O₅中的一種，所述氮化物為Si₃N₄、AlN、BN、SiN、TaN或TiN中的一種，所述硅化物為CrSi₂、TaSi₂、HfSi₂、TiSi₂、MoSi₂或NbSi₂中的一種；

所述氧化物占所述無機阻擋層的10wt%～30wt%，所述硅化物占所述無機阻擋層的10wt%～25wt%，所述氮化物占所述無機阻擋層的45wt%～80wt%。