[發明專利]肖特基墊壘二極管及其制造方法

在審

• 申請號: 201210570518.X
• 申請日: 2012-12-25
• 公開（公告）號: CN103681883A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 李鐘錫;洪坰國
• 申請（專利權）人: 現代自動車株式會社
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L21/329
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種肖特基勢壘二極管，包括：

n-型外延層，所述n-型外延層配置在n+型碳化硅襯底的第一表面上；

第一p+區，所述第一p+區配置在所述n-型外延層中；

n型外延層，所述n型外延層配置在所述n-型外延層和所述第一p+區上；

第二p+區，所述第二p+區配置在所述n型外延層中；

肖特基電極，所述肖特基電極配置在所述n型外延層和所述第二p+區上；以及

歐姆電極，所述歐姆電極配置在所述n+型碳化硅襯底的第二表面上，

其中，所述第一p+區和所述第二p+區彼此接觸。

2.根據權利要求1所述的肖特基勢壘二極管，其中所述第一p+區在所述n-型外延層的表面上形成為晶格形狀。

3.根據權利要求2所述的肖特基勢壘二極管，其中所述第二p+區包圍所述n型外延層的邊緣形成為四邊形形狀。

4.一種肖特基勢壘二極管的制造方法，包括：

在n+型碳化硅襯底的第一表面上形成n-型外延層；

注入p+離子進入所述n-型外延層的表面以形成第一p+區；

在所述n-型外延層和所述第一p+區上形成n型外延層；

注入n+離子進入所述n型外延層的表面以形成第二p+區；

在所述n型外延層和所述第二p+區上形成肖特基電極；以及

在所述n+型碳化硅襯底的第二表面上形成歐姆電極，

其中所述第一p+區和所述第二p+區彼此接觸。

5.根據權利要求4所述的肖特基勢壘二極管的制造方法，其中所述第一p+區在所述n-型外延層的表面上形成為晶格形狀。

6.根據權利要求5所述的肖特基勢壘二極管的制造方法，其中所述第二p+區包圍n型外延層的邊緣形成為四邊形形狀。