[發(fā)明專利]具有新型接合層的電力電子模塊散熱結(jié)構(gòu)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210570362.5
• 申請日: 2012-12-20
• 公開（公告）號: CN103887246A
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 仲雪倩;盛況;汪濤;郭清;謝剛
• 申請（專利權(quán)）人: 浙江大學(xué)
• 主分類號: H01L23/10
• 分類號: H01L23/10;H01L23/373
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種電力電子功率模塊散熱結(jié)構(gòu)，由上至下依次為芯片、上接合層、DBC上金屬層、DBC陶瓷層、DBC下金屬層、下接合層和基板。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電力電子功率模塊散熱結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述上接合層和所述下接合層均為納米級金屬顆粒接合層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的納米級金屬接合層，其特征在于：所述的納米級金屬顆粒接合層含有導(dǎo)電金屬顆粒，如銀(Ag)，金屬顆粒的半徑尺寸為納米級別，典型值為50納米。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電力電子模塊散熱結(jié)構(gòu)，其特征在于：上接合層的厚度在0.1mm至1mm之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電力電子模塊散熱結(jié)構(gòu)，其特征在于：下接合層的厚度在0.5mm至2mm之間。