[發(fā)明專利]有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210570348.5
• 申請日: 2012-12-25
• 公開（公告）號: CN103714777A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李浩榮
• 申請（專利權(quán)）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: G09G3/32
• 分類號: G09G3/32
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;鐘強(qiáng)

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備，尤其涉及這樣一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備，其中在形成有多條信號線的顯示面板中，通過在相鄰像素之間共用一條預(yù)定信號線而使信號線的數(shù)量最少化，從而提高開口率。

背景技術(shù)

作為現(xiàn)有陰極射線管的替代品的平板顯示器包括液晶顯示設(shè)備、場致發(fā)射顯示設(shè)備、等離子體顯示面板設(shè)備、有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備，等等。

在這些平板顯示器當(dāng)中，有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備具有亮度高和工作電壓低的特點。由于有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備是自身發(fā)射光的自發(fā)光顯示設(shè)備，因此其對比度高，并且可以實現(xiàn)超薄顯示器。由于有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備的響應(yīng)時間大約是幾微秒（μm），因此比液晶顯示設(shè)備更容易實現(xiàn)運(yùn)動圖像。此外，有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備對于視角沒有限制，并且即使在低溫下也很穩(wěn)定。

在通常的有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備中，一個像素包括至少兩個開關(guān)和驅(qū)動晶體管、電容器以及發(fā)光二極管。開關(guān)晶體管將對應(yīng)于圖像灰度級的數(shù)據(jù)電壓施加到驅(qū)動晶體管的柵極，驅(qū)動晶體管根據(jù)數(shù)據(jù)電壓將電流提供給發(fā)光二極管，從而顯示圖像。在這種情況下，在每個像素的驅(qū)動晶體管之間可能存在閾值電壓差，這造成了圖像的MURA。

為了解決此問題，已經(jīng)提出了內(nèi)部補(bǔ)償法和外部補(bǔ)償法。在內(nèi)部補(bǔ)償法中，在每個像素中進(jìn)一步形成多個輔助晶體管，以便對像素中的驅(qū)動晶體管的閾值電壓進(jìn)行采樣并且對采樣的閾值電壓進(jìn)行補(bǔ)償。在外部補(bǔ)償法中，進(jìn)一步提供用于施加參考電壓的第二開關(guān)晶體管，并且感測由第二開關(guān)晶體管所施加的參考電壓的變化，以便通過感測的變化來計算驅(qū)動晶體管之間的閾值電壓差并且對數(shù)據(jù)電壓進(jìn)行補(bǔ)償。

在內(nèi)部補(bǔ)償法中，在每個像素中提供包括開關(guān)和驅(qū)動晶體管的6個薄膜晶體管。因此，電路配置復(fù)雜，而且開口率減小。另一方面，在外部補(bǔ)償法中，每個像素使用不超過3個薄膜晶體管來實現(xiàn)，而且不僅可以感測驅(qū)動晶體管之間的閾值電壓差，還能夠感測流過驅(qū)動晶體管的電流的量。因此，也能夠計算載流子遷移率的變化，從而使對元件特性變化的補(bǔ)償能力最大化。

圖1A是利用外部補(bǔ)償法的常規(guī)有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備中一個像素的等效電路圖。圖1B是圖解說明在圖1A中所示像素的驅(qū)動中所施加的信號波形的波形圖。圖1C是利用外部補(bǔ)償法的有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備的示意圖。

參照圖1A，利用外部補(bǔ)償法的常規(guī)有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備包括有機(jī)發(fā)光二極管D1、向有機(jī)發(fā)光二極管D1供應(yīng)電流的驅(qū)動晶體管DR-T、在數(shù)據(jù)線和驅(qū)動晶體管DR-T之間連接以便根據(jù)第一掃描信號Vscan1而將數(shù)據(jù)電壓施加到驅(qū)動晶體管DR-T的柵極的第一開關(guān)晶體管SW-T1、在參考電壓源（未示出）和驅(qū)動晶體管DR-T之間連接以便根據(jù)第二掃描信號Vscan2而將參考電壓施加到驅(qū)動晶體管DR-T的源極的第二開關(guān)晶體管SW-T2、以及在驅(qū)動晶體管DR-T的柵極和源極之間連接的電容器C1。

根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，如果將高電平的第一和第二掃描信號Vscan1和Vscan2施加到每個像素，那么電流會流過第一和第二開關(guān)晶體管SW-T1和SW-T2，從而將數(shù)據(jù)電壓Vdata施加到驅(qū)動晶體管DR-T的柵極，并且將參考電壓Vref施加到驅(qū)動晶體管DR-T的源極，電壓“VDD-|Vth|”和“Vdata”施加到電容器C?1的兩端。隨后，如果將第一掃描信號Vscan1的電壓電平變?yōu)榈碗娖綇亩沟谝婚_關(guān)晶體管SW-T1截止，那么將電壓“VDD-|Vth|-Vdata+Vref”施加到驅(qū)動晶體管DR-T的柵極，結(jié)果，驅(qū)動晶體管DR-T的Ids變成“k(Vdata-Vref)²”。也就是說，在流過驅(qū)動晶體管DR-T的電流中去掉了閾值電壓分量，從而使得流過驅(qū)動晶體管DR-T的電流受參考電壓Vref的控制。這樣，通過根據(jù)參考電壓Vref在預(yù)定時間t內(nèi)的變化（V0-V1）來感測流過驅(qū)動晶體管DR-T的電流、通過感測的電流來計算補(bǔ)償值并將計算的補(bǔ)償值反映到數(shù)據(jù)電壓，能夠補(bǔ)償像素之間元件特性的變化。

然而，在如圖1C中所示的利用上述外部補(bǔ)償法的有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備中，除了用于提供數(shù)據(jù)電壓Vdata的數(shù)據(jù)驅(qū)動器30之外，還需要用于提供和感測參考電壓Vref的補(bǔ)償電路40。因此，要分別向顯示面板10的上部和下部提供單獨的集成芯片（IC），這會導(dǎo)致成本增大。

盡管將外部補(bǔ)償法應(yīng)用于有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備，但是這種有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備與利用內(nèi)部補(bǔ)償法的顯示設(shè)備的相同之處在于，在顯示面板10中形成多條信號線，如用于提供參考電壓Vref的線和用于提供電源電壓VDD和接地電壓VSS的線。因此，在提高開口率方面存在限制。

發(fā)明內(nèi)容