[發明專利]高導電性有機（無機）/金屬/無機（有機）多層結構透明導電薄膜的制備方法

有效

• 申請號: 201210570298.0
• 申請日: 2012-12-25
• 公開（公告）號: CN103035845A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發明（設計）人: 劉星元;郭曉陽;范翊
• 申請（專利權）人: 中國科學院長春光學精密機械與物理研究所
• 主分類號: H01L51/48
• 分類號: H01L51/48
• 代理公司: 長春菁華專利商標代理事務所 22210
• 代理人: 張偉

1.一種高導電性有機（無機）/金屬/無機（有機）多層結構透明導電薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟i、在剛性或柔性平面基板上制備第一介質層；

步驟ii、在所述的第一介質層上制備金屬層；

步驟iii、在所述的金屬層上制備第二介質層；

所述第一介質層的材料為任意一種有機或無機半導體材料，或任意多種有機或無機半導體材料的混合物；

所述第二介質層的材料為任意一種無機或有機半導體材料，或任意多種無機或有機半導體材料的混合物。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述的第一介質層的材料為一種有機半導體材料或多種有機半導體材料的混合物時，所述第二介質層的材料為一種無機半導體材料或多種無機半導體材料的混合物；反之，所述的第一介質層的材料為一種無機半導體材料或多種無機半導體材料的混合物時，所述第二介質層的材料為一種有機半導體材料或多種有機半導體材料的混合物。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第一介質層和所述第二介質層為多種半導體材料的混合物時，其中每種材料的質量至少占混合物總質量的1%。

4.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述第一介質層和所述第二介質層的厚度分別為10-300?nm。

5.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述第一介質層和所述第二介質層的材料分別為以下任意的一種材料或混合物：

聚乙烯基咔唑（PVK）；

三氧化鎢（WO₃）；

PVK:2,2’-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-惡二唑]（OXD-7）的混合物；

三氧化鉬（MoO₃）:WO₃的混合物；

PVK:OXD-7:?聚(3-己基)噻吩（P3HT）的混合物；或

WO₃:MoO₃:氧化鎳（NiO）的混合物。

6.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述金屬層材料為Ag、Au、Pt或者Cu；所述金屬層的厚度為8-30nm。

7.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述金屬層的制備方法為電子束蒸發、熱蒸發、磁控濺射或離子濺射。

8.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，在步驟i中，所述剛性平面基板為玻璃、石英、半導體；所述柔性平面基板為塑料。