[發明專利]光刻方法在審
| 申請號： | 201210570010.X | 申請日： | 2012-09-10 |
| 公開（公告）號： | CN103186050A | 公開（公告）日： | 2013-07-03 |
| 發明（設計）人： | Y·C·裴;R·貝爾;樸鐘根;李承泫 | 申請（專利權）人： | 羅門哈斯電子材料有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/16 | 分類號： | G03F7/16;G03F7/11;G03F7/20;G03F7/038;G03F7/004 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人： | 陳哲鋒 |
| 地址： | 美國馬*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 光刻 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種形成電子設備的方法，所述方法包括：
(a)提供包括一或多個待圖案化的層的半導體基底；
(b)在一個或多個待圖案化的層之上形成光致抗蝕劑層；
(c)在所述光致抗蝕劑層之上涂覆光致抗蝕劑外涂組合物，其中所述外涂組合物包括堿性淬滅劑、聚合物和有機溶劑；
(d)在光化輻射中曝光所述層；和
(e)用有機溶劑顯影劑顯影曝光薄膜。
2.根據權利要求1所述的方法，其中所述有機溶劑顯影劑包括2-庚酮。
3.根據權利要求1所述的方法，其中所述有機溶劑顯影劑包括乙酸正丁酯。
4.根據權利要求1所述的方法，其中所述有機溶劑顯影劑包括丙酸正丁酯。
5.根據權利要求1到4任一所述的方法，其中所述光致抗蝕劑外涂組合物的有機溶劑包括丁酸烷基酯。
6.根據權利要求5所述的方法，其中所述光致抗蝕劑涂覆組合物的有機溶劑包括丁酸C8-C9烷基酯。
7.根據權利要求1到4任一所述的方法，其中所述光致抗蝕劑涂覆組合物的有機溶劑包括丙酸烷基酯。
8.根據權利要求7所述的方法，其中所述光致抗蝕劑外涂組合物的有機溶劑包括丙酸C8-C9烷基酯。
9.根據權利要求1到4任一所述的方法，其中所述光致抗蝕劑外涂組合物的有機溶劑包括酮。
10.根據權利要求9所述的方法，其中所述溶劑包括C8-C9支鏈酮。
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