[發明專利]一種預放大器通過控制延時的失調校正方法有效
| 申請號: | 201210569537.0 | 申請日: | 2012-12-25 |
| 公開(公告)號: | CN103066936A | 公開(公告)日: | 2013-04-24 |
| 發明(設計)人: | 姜琿;王自強;張春;姜漢鈞;陳虹;王志華 | 申請(專利權)人: | 清華大學深圳研究生院 |
| 主分類號: | H03F3/45 | 分類號: | H03F3/45 |
| 代理公司: | 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀純 |
| 地址: | 518055 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 放大器 通過 控制 延時 失調 校正 方法 | ||
1.一種預放大器通過控制延時的失調校正方法,所述預放大器包括第一PMOS晶體管,第二PMOS晶體管,第三NMOS晶體管,第四NMOS晶體管和第五NMOS晶體管,所述第一PMOS晶體管的源極連接電源,所述第一PMOS晶體管的漏極和所述第三NMOS晶體管的漏極相連,相連端輸出放大器的反向輸出電壓(Voutn);所述第二PMOS晶體管的源極連接電源,所述第二PMOS晶體管的漏極和所述第四NMOS晶體管的漏極相連,相連端輸出放大器的正向輸出電壓(Voutp);所述第三NMOS晶體管的源極與所述第五NMOS晶體管的漏極相連,所述第三NMOS晶體管的柵極連接正向輸入電壓(Vinp);所述第四NMOS晶體管的源極與所述第五NMOS晶體管的漏極相連,所述第四NMOS晶體管的柵極連接反向輸入電壓(Vinn);所述第五NMOS晶體管的源極接地,所述第五NMOS晶體管的柵極連接第三控制信號(CLKP);?
其特征在于:所述第一PMOS晶體管的柵極連接第一控制信號(CLK1),所述第二PMOS晶體管的柵極連接第二控制信號(CLK2);所述調節方法包括以下步驟:調節前,控制所述第一控制信號(CLK1)和所述第二控制信號(CLK2)的信號起始時刻位于同一時刻,設為第一時刻;控制輸入相等的所述正向輸入電壓(Vinp)和所述反向輸入電源(Vinn),則調節時:
第一種情形:如果失調為所述正向輸出電壓(Voutp)大于所述反向輸出電壓(Voutn),則保持所述第二控制信號(CLK2)的信號起始時刻不變,按照如下方式調節所述第一控制信號(CLK1):11)設定時刻點(tb)的初值,所述初值大于所述第一時刻,小于所述第三控制信號(CLKP)達到穩態的時刻;12)更新記錄當前校正次數,控制所述第一控制信號(CLK1)的信號起始時刻為所述時刻點(tb)的值;13)判斷當前校正次數的值是否等于設定值,如果否,則進入步驟14);如果是,則結束調節過程;14)判斷此時所述正向輸出電壓(Voutp)與所述反向輸出電壓(Voutn)的大小,如果所述正向輸出電壓(Voutp)仍然大于所述反向輸出電壓(Voutn),則將所述時刻(tb)調大,返回步驟12);如果所述正向輸出電壓(Voutp)小于所述反向輸出電壓(Voutn),則將所述時刻(tb)調小,返回步驟12);
第二種情形:如果失調為所述正向輸出電壓(Voutp)小于所述反向輸出電壓(Voutn),則保持所述第一控制信號(CLK1)的信號起始時刻不變,按照如下方式調節所述第二控制信號(CLK2):21)設定時刻點(tb)的初值,所述初值大于所述第一時刻,小于所述第三控制信號(CLKP)達到穩態的時刻;22)更新記錄當前校正次數,控制所述第二控制信號(CLK2)的信號起始時刻為所述時刻點(tb)的值;23)判斷此時校正次數的值是否等于設定值,如果否,則進入步驟24);如果是,則結束調節過程;24)判斷此時所述正向輸出電壓(Voutp)與所述反向輸出電壓(Voutn)的大小,如果所述正向輸出電壓(Voutp)仍然小于所述反向輸出電壓(Voutn),則將所述時刻(tb)調大,返回步驟22);如果所述正向輸出電壓(Voutp)大于所述反向輸出電壓(Voutn),則將所述時刻(tb)調小;返回步驟22)。
2.根據權利要求1所述的預放大器通過控制延時的失調校正方法,其特征在于:所述第一種情形中步驟11)中或所述第二種情形步驟21)中的時刻點(tb)的初值設為所述第一時刻至所述穩態時刻區間中的中間值。
3.根據權利要求1所述的預放大器通過控制延時的失調校正方法,其特征在于:所述第一種情形中步驟14)中或所述第二種情形步驟24)中調大或者調小所述時刻點(tb)時均取區間范圍的中間值。
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