[發明專利]一種低寄生電感的IGBT功率模塊

無效

• 申請號: 201210569533.2
• 申請日: 2012-12-25
• 公開（公告）號: CN103022022A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 盛況;陳思哲;汪濤;郭清;謝剛
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H03K17/567
• 代理公司: 浙江杭州金通專利事務所有限公司 33100
• 代理人: 吳輝輝

1.一種低寄生電感的IGBT功率模塊，包括相互換流的第一開關回路(11)和第二開關回路(12)，其特征是：第一開關回路(11)包括上橋臂IGBT芯片(2)、下橋臂反并二極管芯片(3)，第二開關回路(12)包括下橋臂IGBT芯片(7)、上橋臂反并二極管芯片(8)；下橋臂反并二極管芯片(3)壓接在上橋臂IGBT芯片(2)表面，下橋臂反并二極管芯片(3)的陰極與上橋臂IGBT芯片(2)的發射極直接相連，上橋臂IGBT芯片(2)的表面通過第一焊線(4)引出第一開關回路的橋臂中心，下橋臂反并二極管芯片(3)的陽極通過第二焊線(5)引出接地端，上橋臂IGBT芯片(2)壓接在第一基板(1)上；下橋臂IGBT芯片(7)與上橋臂反并二極管芯片(8)分別置于相鄰放置的第二基板(6)和第三基板(9)上，第二基板(6)作為第二開關回路的橋臂中心，第三基板(9)連接上橋臂反并二極管芯片(8)的陰極，下橋臂IGBT芯片(7)的發射極通過第三焊線(10)引出接地端，上橋臂反并二極管芯片(8)通過第四焊線(13)連接第二基板(6)。

2.根據權利要求1所述的一種低寄生電感的IGBT功率模塊，其特征是：所述IGBT功率模塊包括一組或多組第一開關回路和第二開關回路。

3.根據權利要求1所述的一種低寄生電感的IGBT功率模塊，其特征是：第一焊線(4)、第二焊線(5)、第三焊線(10)、第四焊線(13)均為錫焊絲。

4.根據權利要求1所述的一種低寄生電感的IGBT功率模塊，其特征是：第一基板(1)、第二基板(6)、第三基板(9)均為銅制基板。