[發(fā)明專利]一種用于電吸收調(diào)制激光器與硅基波導(dǎo)集成的高頻電極

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210568983.X
• 申請(qǐng)日: 2012-12-25
• 公開（公告）號(hào): CN103022893A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周亮;曹小鴿;余向紅
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢電信器件有限公司
• 主分類號(hào): H01S5/02
• 分類號(hào): H01S5/02;H01S5/042
• 代理公司: 北京匯澤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11228
• 代理人: 程殿軍

1.一種用于電吸收調(diào)制激光器與硅基波導(dǎo)集成的高頻電極，其特征在于，其包括有硅襯底、制作于硅襯底上，并能將電信號(hào)加載到電吸收調(diào)制激光器的調(diào)制器和激光器上的金屬電極層、設(shè)于金屬電極層上方的電吸收調(diào)制激光器以及設(shè)于金屬電極層與電吸收調(diào)制激光器之間，且用于實(shí)現(xiàn)電吸收調(diào)制激光器與金屬電極層的電學(xué)互聯(lián)與垂直方向上的光學(xué)對(duì)準(zhǔn)的焊接凸點(diǎn)層，該硅襯底為硅基波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的硅襯底。

2.如權(quán)利要求1所述的用于電吸收調(diào)制激光器與硅基波導(dǎo)集成的高頻電極，其特征在于，所述硅襯底的電阻率范圍為600-6000歐姆·厘米。

3.如權(quán)利要求1所述的用于電吸收調(diào)制激光器與硅基波導(dǎo)集成的高頻電極，其特征在于，所述金屬電極層為單元結(jié)構(gòu)或級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)，該級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)為多個(gè)單元結(jié)構(gòu)的橫向有限重復(fù)結(jié)構(gòu)。

4.如權(quán)利要求3所述的用于電吸收調(diào)制激光器與硅基波導(dǎo)集成的高頻電極，其特征在于，所述金屬電極層的單元結(jié)構(gòu)包括：

對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記；?

電吸收調(diào)制器電極，其包含焊盤區(qū)電極和與該焊盤區(qū)電極連接的過渡電極；

高頻傳輸電極，該高頻傳輸電極包括左中右三個(gè)電極，其中左右電極為接地電極，中間電極為信號(hào)線電極，所述電吸收調(diào)制器電極的過渡電極形狀為梯形，該過渡電極與高頻傳輸電極中的信號(hào)線電極互連，該過渡電極用于高頻傳輸線與倒裝焊焊盤間的過渡；

激光器底電極，其由左側(cè)的激光器焊盤區(qū)、過渡電極區(qū)、測(cè)試焊盤區(qū)以及右側(cè)的地線電極組成，其中左側(cè)的激光器焊盤區(qū)、過渡電極區(qū)及測(cè)試焊盤區(qū)為信號(hào)線電極，過渡電極區(qū)形狀為梯形，同該激光器焊盤區(qū)和測(cè)試焊盤區(qū)互連。

5.如權(quán)利要求4所述的用于電吸收調(diào)制激光器與硅基波導(dǎo)集成的高頻電極，其特征在于，所述電吸收調(diào)制激光器包括調(diào)制器區(qū)、圖形標(biāo)記和激光器區(qū)，該調(diào)制器區(qū)、圖形標(biāo)記和激光器區(qū)的正面分別制作有信號(hào)金屬電極，背面制作有接地電極，該圖形標(biāo)記與所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)，該圖形標(biāo)記形狀與該對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記形狀一樣或互補(bǔ)。

6.如權(quán)利要求5所述的用于電吸收調(diào)制激光器與硅基波導(dǎo)集成的高頻電極，其特征在于，所述電吸收調(diào)制激光器采用倒裝焊工藝制作于所述焊料凸點(diǎn)層的焊料凸點(diǎn)上方，該電吸收調(diào)制激光器正面的電極區(qū)不同區(qū)域與焊料凸點(diǎn)分別接觸，該電吸收調(diào)制激光器背面的接地電極通過金絲球焊或楔焊連接到所述硅襯底上的接地電極上。

7.如權(quán)利要求4所述的用于電吸收調(diào)制激光器與硅基波導(dǎo)集成的高頻電極，其特征在于，所述焊料凸點(diǎn)層的焊料凸點(diǎn)通過植球、金絲球焊工藝制作于所述電吸收調(diào)制器電極的焊盤區(qū)電極和激光器底電極的激光器焊盤區(qū)。

8.如權(quán)利要求1所述的用于電吸收調(diào)制激光器與硅基波導(dǎo)集成的高頻電極，其特征在于，所述焊料凸點(diǎn)層熔點(diǎn)低于400℃，厚度為5-200um，所述金屬電極層厚度為0.2um-3um。

9.如權(quán)利要求4所述的用于電吸收調(diào)制激光器與硅基波導(dǎo)集成的高頻電極，其特征在于，所述高頻傳輸電極的左中右三個(gè)電極，每一電極均依次由橫直電極，彎曲電極，豎直電極以及測(cè)試焊盤區(qū)電極組成，該橫直電極，彎曲電極，豎直電極的接地電極、信號(hào)線電極及其電極間距均相同，以保證最佳的高頻傳輸線性能。

10.如權(quán)利要求4所述的用于電吸收調(diào)制激光器與硅基波導(dǎo)集成的高頻電極，其特征在于，所述地線電極位于所述測(cè)試焊盤區(qū)與高頻傳輸電極中間，該地線電極用于激光器信號(hào)線與金絲焊盤間的過渡。