[發(fā)明專利]具有金屬氧化物的薄膜晶體管基板及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210568595.1 | 申請(qǐng)日： | 2012-12-24 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN103531591A | 公開(kāi)（公告）日： | 2014-01-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 柳尙希 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 樂(lè)金顯示有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L27/12 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L27/12;H01L21/77;H01L29/786;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金國(guó) |
| 地址： | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼： | 韓國(guó);KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 金屬 氧化物 薄膜晶體管 及其 制造 方法 | ||
1.一種薄膜晶體管基板，包括：
布置在基板上的柵極；
布置在柵極上的柵絕緣膜；
布置在柵絕緣膜上并包括金屬氧化物的有源層；
與有源層基本上平行于基板的一側(cè)相接觸的源極和與有源層基本上平行于基板的另一側(cè)相接觸的像素電極；和
插入到源極和像素電極之間的蝕刻終止層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的薄膜晶體管基板，其中像素電極直接與有源層的一側(cè)的下部接觸。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的薄膜晶體管基板，其中像素電極完全被蝕刻終止層覆蓋。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的薄膜晶體管基板，其中源極通過(guò)蝕刻終止層中的接觸孔，直接與有源層的一側(cè)的上部接觸。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的薄膜晶體管基板，進(jìn)一步包括：
布置在蝕刻終止層上并與有源層相鄰設(shè)置的數(shù)據(jù)線；
布置在數(shù)據(jù)線和蝕刻終止層上的鈍化膜；和
布置在鈍化膜上的公共電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的薄膜晶體管基板，其中
鈍化膜包括暴露出有源層的一側(cè)的上部的第一通孔和暴露出數(shù)據(jù)線的第二通孔。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的薄膜晶體管基板，其中
源極通過(guò)第一通孔和第二通孔與有源層的一側(cè)的上部和數(shù)據(jù)線相接
觸。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的薄膜晶體管基板，其中
源極包括與公共電極相同的材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的薄膜晶體管基板，其中
源極直接與有源層的一側(cè)的下部接觸。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的薄膜晶體管基板，其中
像素電極布置在蝕刻終止層上并通過(guò)形成在蝕刻終止層上的接觸孔與有源層接觸。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的薄膜晶體管基板，其中
源極完全被蝕刻終止層覆蓋。
12.一種制造薄膜晶體管基板的方法，包括：
在基板上形成柵極；
在柵極上形成柵絕緣膜；
在柵絕緣膜上形成包括金屬氧化物的有源層；
形成與有源層的一側(cè)相接觸的源極以及與有源層的另一側(cè)相接觸的像素電極；和
在源極和像素電極之間形成蝕刻終止層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，進(jìn)一步包括：
在形成了源極的基板上形成鈍化膜；和
在鈍化膜上形成公共電極。
14.一種制造薄膜晶體管基板的方法，包括：
在基板上形成柵極；
在柵極上形成柵絕緣膜；
在柵絕緣膜上形成像素電極；
在柵絕緣膜上形成包括金屬氧化物的有源層以與像素電極的一側(cè)相接觸；
在有源層和像素電極上形成蝕刻終止層；
在蝕刻終止層上形成與有源層相鄰的數(shù)據(jù)線；
在形成有數(shù)據(jù)線的基板上形成鈍化膜，其中形成暴露出有源層的第一通孔和暴露出數(shù)據(jù)線的第二通孔；和
在鈍化膜上形成公共電極和源極，其中源極形成為通過(guò)第一通孔和第二通孔與有源層和數(shù)據(jù)線接觸。
15.一種薄膜晶體管基板，包括：
布置在基板上的柵極；
布置在柵極上的柵絕緣膜；
布置在柵絕緣膜上并包括金屬氧化物的有源層；
覆蓋至少部分有源層的蝕刻終止層；
至少部分覆蓋蝕刻終止層和有源層的源極；和
至少部分被有源層和蝕刻終止層覆蓋的像素電極。
16.根據(jù)權(quán)利要求15的薄膜晶體管基板，其中：
蝕刻終止層覆蓋除了穿過(guò)蝕刻終止層的孔以外的有源層；和
源極通過(guò)該孔與有源層接觸。
17.根據(jù)權(quán)利要求15的薄膜晶體管基板，進(jìn)一步包括：
布置在源極和蝕刻終止層上的鈍化膜；和
在與有源層相鄰的區(qū)域，布置在鈍化膜上的公共電極。
18.根據(jù)權(quán)利要求17的薄膜晶體管基板，其中，在與有源層相鄰的區(qū)域，像素電極覆蓋柵絕緣膜并且被蝕刻終止層、鈍化膜和公共電極所覆蓋。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
