[發明專利]一種半導體器件的制造方法

有效

• 申請號: 201210568222.4
• 申請日: 2012-12-24
• 公開（公告）號: CN103904021A
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發明（設計）人: 周鳴
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種半導體器件的制造方法，包括：

提供半導體襯底，在所述半導體襯底上形成層間介電層，在所述層間介電層中形成銅金屬互連溝槽或通孔；

采用濕法冶金工藝在所述銅金屬互連溝槽或通孔的側壁及底部形成CuMn合金種子層；

在所述銅金屬互連溝槽或通孔內填充銅金屬，以形成銅金屬互連結構。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述濕法冶金工藝包括以下工藝步驟：將所述半導體襯底浸入PdCl₂、AgCl₂或NiCl₂溶液中，以使所述銅金屬互連溝槽或通孔的側壁及底部充分吸附所述PdCl₂、AgCl₂或NiCl₂；將所述半導體襯底浸入SnCl₂溶液中，以將所述PdCl₂、AgCl₂或NiCl₂還原為Pd、Ag或Ni，所述Pd、Ag或Ni作為后續進行的化學反應的觸媒；將所述半導體襯底浸入一混合溶液中，以形成所述CuMn合金種子層。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述PdCl₂、AgCl₂或NiCl₂溶液的濃度為0.5％-5％（wt）。

4.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述SnCl₂溶液的濃度為高于50％（wt）。

5.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述混合溶液由含Cu²⁺的溶液、MnCl₂溶液和還原劑構成。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述MnCl₂溶液的濃度為1％-20％（wt）。

7.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述含Cu²⁺的溶液為CuCl₂溶液或CuSO₄溶液。

8.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述還原劑為NaBH₄或HCHO。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述CuMn合金種子層之前，還包括在所述銅金屬互連溝槽或通孔的側壁及底部形成阻擋層的步驟。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述阻擋層的材料為Ta或TaN。

11.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，采用電鍍工藝形成所述銅金屬互連結構。