[發(fā)明專利]低電壓單管調(diào)頻無線話筒

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210567883.5
• 申請日: 2012-12-25
• 公開（公告）號: CN103096212A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周蕓
• 申請（專利權(quán)）人: 周蕓
• 主分類號: H04R3/00
• 分類號: H04R3/00;H04R1/08
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于電子及通訊技術(shù)領(lǐng)域，是關(guān)于一種低電壓單管調(diào)頻無線話筒。

背景技術(shù)

本發(fā)明采用單節(jié)1.5V電池、單只NPN型晶體管，通過改變高頻振蕩電路的振蕩頻率,?從而將聲音信號調(diào)制成為調(diào)頻波。因電路只使用一只NPN型晶體管，電路受前后級的牽扯和干擾少，使得振蕩電路的頻率比較穩(wěn)定，適合用于無線耳機等高保真度信號傳輸，適用于課堂教學(xué)、旅游等領(lǐng)域。

試驗證明：本發(fā)明使用普通分立元件制作一個低電壓單管調(diào)頻無線話筒，實現(xiàn)了調(diào)頻無線話筒電路結(jié)構(gòu)簡單，制作容易、高頻振蕩頻率穩(wěn)定、耗電少等目標(biāo)。低電壓單管調(diào)頻無線話筒的發(fā)射距離可達(dá)30m。

以下詳細(xì)說明本發(fā)明所述的低電壓單管調(diào)頻無線話筒在制作過程中涉及的相關(guān)技術(shù)內(nèi)容。

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明目的及有益效果：本發(fā)明采用單節(jié)1.5V電池、單只NPN型晶體管，通過改變高頻振蕩電路的振蕩頻率,?從而將聲音信號調(diào)制成為調(diào)頻波。因電路只使用一只NPN型晶體管，電路受前后級的牽扯和干擾少，使得振蕩電路的頻率比較穩(wěn)定，適合用于無線耳機等高保真度信號傳輸，適用于課堂教學(xué)、旅游等領(lǐng)域。

技術(shù)特征：低電壓單管調(diào)頻無線話筒，它由1.5V電池、拾音電路、晶體管偏置電路、高頻振蕩及發(fā)射電路組成，其特征包括：

拾音電路：它由駐極體話筒MIC、電阻R1、電解電容C1組成，駐極體話筒MIC的輸出端D接電阻R1的一端和電解電容C1的正極，駐極體話筒MIC的金屬外殼S與電路地GND相連，電阻R1的另一端接電路正極VCC；

晶體管偏置電路：它由NPN型晶體管BG1、電阻R2組成，NPN型晶體管BG1的基極接電阻R2的一端，電阻R2的另一端接電路正極VCC；

高頻振蕩及發(fā)射電路：它由NPN型晶體管BG1、電容C2、高頻振蕩線圈L1和L2、負(fù)反饋電容C3、負(fù)反饋電阻R3、耦合電容C4及發(fā)射天線AT組成，NPN型晶體管BG1的集電極接電容C2的一端、高頻振蕩線圈L2的一端和負(fù)反饋電容C3的一端，高頻振蕩線圈L2的另一端接高頻振蕩線圈L1的一端和耦合電容C4的一端，電容C2的另一端和高頻振蕩線圈L1的另一端接電路正極VCC，耦合電容C4的另一端接發(fā)射天線AT，負(fù)反饋電容C3的另一端接NPN型晶體管BG1的發(fā)射極和負(fù)反饋電阻R3的一端，負(fù)反饋電阻R3的另一端與電路地GND相連。

1.5V電池正極與電路正極VCC相連，?1.5V電池的負(fù)極與電路地GND相連。

電路工作原理：低電壓單管調(diào)頻無線話筒由駐極體話筒MIC將聲音信號轉(zhuǎn)變?yōu)橐纛l電流，接著由NPN型晶體管BG1、高頻振蕩線圈L1、L2和電容C2組成的高頻振蕩器，調(diào)制成調(diào)頻信號由發(fā)射天線AT輻射到空間。在距該調(diào)頻無線話筒30m范圍之內(nèi)，由FM波段調(diào)頻廣播收音機接收，經(jīng)收音機放大后由收音機的揚聲器還原成聲音。發(fā)射距離與NPN型晶體管BG1的工作電流大小有關(guān)。

附圖說?

附圖1是本發(fā)明提供一個低電壓單管調(diào)頻無線話筒的實施例電路工作原理圖。

具體實施方式

按照附圖1所示低電壓單管調(diào)頻無線話筒的電路工作原理圖和附圖說明，并且按照實施例所述的元器件技術(shù)要求進(jìn)行實施即可實現(xiàn)本發(fā)明。

元器件的選擇及其技術(shù)參數(shù)

選擇NPN型晶體管BG1時，要求晶體管的特征頻率fT大于300MHz，選用2SC9018中功率晶體管，要求β≥110；

MIC為駐極體話筒，駐極體話筒MIC應(yīng)選用兩端輸出式的話筒，其漏極D為音頻信號輸出端，駐極體話筒的金屬外殼與源極S相連后接電路地GND；將場效應(yīng)管接成漏極D為輸出端，這樣有利于提高輸出信號電壓增益，可使駐極體話筒的靈敏度增加；為提高電路的抗干擾性要求駐極體話筒MIC的金屬外殼S接電路地GND；駐極體話筒靈敏度越高，無線話筒的效果越好；駐極體話筒MIC可選用型號為CM-18W型（￠10mm×6.5mm）；

電阻選用功率為1/8W金屬膜電阻或碳膜電阻，電阻R1的阻值為6.2KΩ；電阻R2的阻值為10KΩ；負(fù)反饋電阻R3的阻值為6.2Ω；

C1為電解電容，容量是10μF/10V；C2為瓷片電容，容量是8.2PF；C3為瓷片電容，容量是18PF；C4為瓷片電容，容量是47PF。

電路制作要點及電路調(diào)試

1.?高頻振蕩線圈L制作：高頻振蕩線圈分為兩段線圈繞制，要求繞向相同，高頻振蕩線圈L1用￠0.5mm漆包線在￠5mm骨架上繞4匝，高頻振蕩線圈L2繞3匝；